MOS驱动器栅极（G）与源极（S）之间并联电容的作用主要包括以下几个方面：

一、稳定栅极信号

并联电容能够稳定栅极信号，特别是在高频电路中，它可以有效地减少栅极电压的波动，从而确保驱动信号的稳定性和可靠性。这对于提高电路的整体性能和稳定性至关重要。

二、降低噪声干扰

在电路中，噪声干扰是一个常见的问题。栅极与源极之间并联的电容可以吸收和释放电荷，从而减小栅极电压的波动，进而降低噪声干扰对电路的影响。这对于提高电路的抗干扰能力和信号完整性具有重要意义。

三、减小开关损耗

在MOSFET的开关过程中，栅极与源极之间的电容需要进行充电和放电。虽然这个过程不能很快完成，但适当的并联电容可以优化开关过程中的电荷分布，从而减小开关损耗。这对于提高电路的效率和可靠性非常有帮助。

四、防止误导通

在高速开关电路中，高dv/dt（漏源电压Vds的变化率）可能导致MOSFET误导通。通过在栅极与源极之间并联电容，可以增大栅源极电容Cgs，从而变相减小栅极电压Vgs，有效防止因高dv/dt引起的误导通问题。这对于保护电路免受损坏和提高电路的可靠性至关重要。

五、提高电路稳定性

并联电容还可以提高电路的稳定性。在电路中，由于各种因素的影响，栅极电压可能会产生波动。通过并联电容，可以减小这种波动，从而提高电路的稳定性。这对于确保电路在各种条件下都能正常工作非常重要。

综上所述，MOS驱动器栅极与源极之间并联电容的作用主要包括稳定栅极信号、降低噪声干扰、减小开关损耗、防止误导通以及提高电路稳定性等方面。这些作用共同确保了电路的高性能和可靠性。然而，需要注意的是，并联电容的电容值需要根据具体的电路设计需求和工作条件来确定，以避免潜在的风险和问题。