铁电存储器（FRAM）最大的缺点可以从多个维度来考量，以下是对其几个显著缺点的分析：

一、微缩能力差

铁电存储器的最大物理限制之一是难以微缩到纳米级工艺。这意味着随着半导体技术的不断发展，其他类型的存储器（如DRAM和Flash）能够不断缩小尺寸并增加存储密度，而铁电存储器在尺寸减小方面却面临较大的困难。这限制了铁电存储器在需要高密度存储的应用中的使用。

二、材料限制

目前主流的铁电材料，如PZT（锆钛酸铅）和SBT（钽酸锶铋），都存在一些缺点。PZT虽然原材料便宜、晶化温度较低且工艺集成较容易，但存在疲劳退化问题，且铅元素对环境造成污染。SBT虽然环保且无疲劳退化问题，但其制作工艺温度较高，工艺集成难度很大。这些材料限制影响了铁电存储器的性能和可靠性。

三、寿命相对较短

铁电存储器的存储单元会受到极性翻转的影响，随着时间的推移逐渐衰减。这导致其平均故障时间（MTBF）可能不如其他类型的存储器。此外，铁电材料的极化方向也可能在使用中发生变化，导致数据的不稳定性和完整性问题。这限制了铁电存储器在需要长期稳定运行的应用中的可靠性。

四、制造成本高

铁电存储器的制造技术相对复杂，包括铁电薄膜的制备和器件加工等多个环节。这些工艺需要高精度的设备和材料，导致生产成本相对较高。这限制了铁电存储器在市场上的竞争力和普及程度。

综上所述，铁电存储器最大的缺点包括微缩能力差、材料限制、寿命相对较短以及制造成本高。这些因素共同影响了铁电存储器在市场上的应用和发展。然而，随着技术的不断进步和研发工作的深入，未来有望克服这些缺点并推动铁电存储器的进一步发展。