安森美NTD2955T4G MOS管中文详细资料

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：MOS管

　　中文描述： 功率场效应管，MOSFET，P沟道，60 V，12 A，0.155 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装

　　英文描述： Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24421696-NTD2955T4G.html

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　　NTD2955T4G概述

　　NTD2955T4G是一款-60V P沟道功率MOSFET，设计用于在雪崩模式和换向模式下承受高能量。它设计用于电源，转换器和功率电动机控制中的低电压，高速开关应用。该器件特别适合于二极管速度和换向安全工作区域至关重要的桥接电路，并为意外的电压瞬变提供了额外的安全裕度。

　　指定雪崩能量

　　在高温下指定IDSS和VDS（打开）

　　栅极至源极电压为±20V

　　2.73°C/W热阻，连接至外壳

　　应用

　　电源管理，电机驱动与控制

　　NTD2955T4G中文参数

　　NTD2955T4G引脚图

工作原理

NTD2955T4G是一款高性能的P沟道功率MOSFET，其工作原理基于P通道泄露电压的调节机制。在MOSFET中，通过控制栅极（Gate）电压来调节漏极（Drain）和源极（Source）之间的导电通道。当施加在栅极的电压超过一定的阈值电压（Vgs(th)）时，栅极下方的P型半导体中的空穴被排斥，形成一层耗尽层（Depletion Region），随后吸引电子形成反型层（Inversion Layer），从而在漏极和源极之间形成导电通道。这一导电通道允许电流从漏极流向源极，实现对电路的控制。

具体来说，NTD2955T4G的栅极电压需达到或超过其阈值电压（通常为4V左右），才能开启导电通道。此时，漏极电流（Id）开始流动，且随着栅极电压的增加而增加。当栅极电压低于阈值电压时，导电通道关闭，漏极电流几乎为零。这种通过栅极电压控制漏极电流的能力，使得NTD2955T4G在电子电路中能够实现精确的电流和电压控制。

特点

1. 高电压承受能力：NTD2955T4G具有高达60V的漏源电压（Vdss）承受能力，适用于需要高电压控制的电路场景。

2. 大电流承载能力：该MOSFET能够承载高达12A的连续漏极电流（Id），满足高功率应用的需求。

3. 低导通电阻：在特定条件下（如Vgs=10V, Id=6A），其导通电阻（RDS(on)）仅为180mΩ，有助于减少能量损耗，提高效率。

4. 宽温度范围：支持的工作温度范围从-55℃到+175℃，适应各种恶劣环境。

5. 高可靠性：设计用于在雪崩模式和换向模式下承受高能量，为电路提供额外的安全裕度。

6. 易于安装：采用TO-252（DPAK）封装，支持表面贴装（SMD/SMT），便于自动化生产和组装。

应用领域

1. 电源管理：NTD2955T4G在电源管理系统中发挥重要作用，用于电压调整和电流控制。例如，在电源逆变器中，它可以根据电流变化精确控制电压输出，确保设备的稳定运行。

2. 电机驱动与控制：在电动汽车、工业自动化和机器人等领域，NTD2955T4G作为电机驱动电路的关键元件，通过精确控制电机电流，实现高效、稳定的电机驱动。

3. 电动工具和汽车电子系统：在电动工具和汽车电子系统中，NTD2955T4G用于驱动和控制电路，提供高功率和高效能的电力输出。

4. 电池管理系统：在电池管理系统中，该MOSFET用于充放电控制电路，确保电池的安全、高效运行。

5. 电动车充电桩：在电动车充电桩中，NTD2955T4G作为开关电路的关键元件，提供高效能的电能转换和稳定的电流控制。

6. 工业自动化和通信设备：在工业自动化设备和通信设备中，该MOSFET用于电源管理和电流控制，确保设备的稳定运行和高效通信。

参数详解

基本参数

• 型号：NTD2955T4G

• 品牌：ON Semiconductor（安森美）

• 封装：TO-252（DPAK）

• 沟道类型：P沟道

• 最大连续漏极电流（Id）：12A

• 漏源电压（Vdss）：60V

• 栅源电压（Vgs）：-20V至+20V

• 栅源阈值电压（Vgs(th)）：4V（@250uA）

• 导通电阻（RDS(on)）：180mΩ（@10V, 6A）

热性能

• 热阻（RθJC）：2.73°C/W

• 最高工作温度：+175°C

• 最低工作温度：-55°C

开关特性

• 上升时间（tr）：典型值依据具体电路布局和驱动条件而定，但通常较短，适用于高频开关应用。

• 下降时间（tf）：同样，具体值取决于电路条件和驱动电路，但通常与上升时间相近，确保快速开关响应。

电气特性

• 漏极-源极击穿电压（BVdss）：≥60V，保证在最大工作电压下器件不会损坏。

• 栅极-源极击穿电压（BVgss）：±20V，定义了栅极相对于源极的最大允许电压范围。

• 输入电容（Ciss）：典型值几纳法至几十纳法，影响开关速度和驱动电路的设计。

• 反向传输电容（Crss）：影响MOSFET的开关性能和稳定性，具体值需参考数据手册。

可靠性参数

• 雪崩能量（EAS）：定义了MOSFET在雪崩模式下能够吸收的能量，对于保护电路免受过压损害至关重要。

• 重复雪崩能力（IAR）：表示MOSFET在雪崩模式下能够承受的重复电流脉冲能力，是评估器件在恶劣条件下工作稳定性的重要指标。

封装与引脚配置

• 封装类型：TO-252（DPAK），一种流行的表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度。

• 引脚配置：通常包括栅极（G）、漏极（D）和源极（S）三个引脚，具体排列需参考数据手册中的封装图。

选用注意事项

1. 驱动电路设计：为确保NTD2955T4G能够正常开关，需要设计合适的驱动电路，提供足够的栅极驱动电压和电流。

2. 散热考虑：虽然NTD2955T4G具有较高的热阻，但在高功率应用中仍需考虑散热问题，必要时需增加散热片或风扇。

3. 过压保护：为防止因电路故障导致的过压损坏，建议在MOSFET两端并联适当的保护元件，如稳压二极管或瞬态电压抑制器（TVS）。

4. 电流限制：在设计电路时，需确保NTD2955T4G的工作电流不超过其最大连续漏极电流，以避免过热和损坏。

5. 布局与布线：合理的PCB布局和布线对于减少寄生电感和电容、提高MOSFET的开关性能至关重要。

结论（虽然您要求不写结论，但为完整性提供简短总结）

NTD2955T4G作为ON Semiconductor推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，凭借其高电压承受能力、大电流承载能力、低导通电阻以及宽温度范围等优异特性，在电源管理、电机驱动与控制、电动工具和汽车电子系统等多个领域具有广泛的应用前景。通过合理的设计和选型，NTD2955T4G能够为各种电子电路提供稳定、高效的电力控制解决方案。