安森美MBRS360T3G肖特基二极管中文资料

一、型号与类型

安森美（ON Semiconductor）的MBRS360T3G是一款高性能的肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），属于表面安装型功率整流器。其封装形式为DO-214AB（也称SMC封装），具有双引脚设计，适合用于各种需要高效整流和低正向压降的电路中。MBRS360T3G作为安森美半导体产品线中的一员，以其优异的电气特性和稳定性，在电源管理、工业控制、便携式设备以及汽车电子等领域得到了广泛应用。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：肖特基二极管

　　中文描述： 肖特基整流器，60 V，3 A，单，DO-214AB(SMC)，2引脚，740 mV

　　英文描述： Rectifier Diode Schottky Si 60V 4A 2-Pin SMC T/R

　　数据手册：

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　　MBRS360T3G概述

　　On Semiconductor公司的MBRS360T3G是一款表面安装"J"型弯曲引线肖特基功率整流器，SMC(CASE 403-03)封装.它具有外延结构，带有高度稳定的钝化氧化结与金属触芯.该器件适用于低电压，高频率整流，续流，极性保护，以及有严格尺寸和重量要求的应用.

　　环氧符合UL 94 V-0 0.125英寸

　　车用级别AEC-Q101合规

　　保护环，应力保护

　　最大重复性反向电压Vrrm为60V

　　125A IFSM正向非重复性浪涌电流

　　TL137°C时，正向电流If(AV)为3A，TL 127°C时为4A

　　结温范围:-65°C至175°C

　　最大正向电压VF:630mV，IF 3A

　　应用

　　电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品，车用

　　MBRS360T3G中文参数

　　MBRS360T3G引脚图

二、工作原理

肖特基二极管，又称热载流子二极管，其工作原理基于金属与半导体之间形成的肖特基势垒。这种势垒的形成使得电子在正向偏置时能够更容易地从半导体一侧流向金属一侧，而在反向偏置时则能有效阻止电流流动。具体来说，当肖特基二极管的正极（通常是金属侧）接电源正极，负极（N型半导体侧）接电源负极时，形成正向偏置，此时金属中的自由电子被吸引到半导体中的导带，形成电流通路。由于肖特基势垒的存在，这一过程中的正向压降远低于传统PN结二极管，通常在0.15V至0.45V之间，从而提高了系统的整体效率。

三、特点

1. 低正向压降：MBRS360T3G具有极低的正向压降，最大值为630mV（在特定条件下），远低于普通PN结二极管，这使得它在高频、低电压应用中能够显著降低功耗，提高系统效率。

2. 快速开关特性：肖特基二极管因其内部结构特性，具有非常快速的开关速度，适合用于高频开关电路和快速信号检测。MBRS360T3G作为安森美的高性能产品，继承了这一优点，能够满足高速电路的需求。

3. 高反向耐压：该二极管能够承受高达60V的反向电压，确保在反向偏置时不会损坏，适用于多种电压等级的电路。

4. 良好的温度稳定性：MBRS360T3G具有稳定的工作温度范围（-65°C至+175°C），能够适应各种极端环境条件下的工作需求。

5. 高可靠性：作为车用级别AEC-Q101合规的产品，MBRS360T3G在设计和制造过程中遵循了严格的质量控制标准，确保了产品的高可靠性和长寿命。

四、应用

1. 电源管理：MBRS360T3G的低正向压降和快速开关特性使其成为电源管理电路中的理想选择。在开关电源、DC-DC转换器、线性稳压器等应用中，能够有效降低功耗，提高转换效率。

2. 工业控制：在工业控制系统中，MBRS360T3G可用于各种需要高频整流和快速信号检测的场合，如电机驱动、传感器信号处理等。

3. 便携式设备：由于便携式设备对功耗和体积有严格要求，MBRS360T3G的低功耗和小型化封装使其成为这些设备的理想选择。在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电子产品中，MBRS360T3G可用于电池管理、充电控制等电路。

4. 汽车电子：汽车电子系统对元器件的可靠性和稳定性要求极高。MBRS360T3G作为车用级别合规的产品，可用于汽车电源系统、发动机控制系统、车身电子系统等关键部位，确保汽车在各种工况下的正常运行。

五、参数

以下是MBRS360T3G的主要电气参数：

• 反向峰值电压（最大值）：60V

• 正向压降（最大值）：630mV（在特定条件下）

• 正向浪涌峰值电流（Ifsm）：125A

• 平均整流电流（If(AV)）：3A（在TL 127°C时可达4A）

• 反向漏电流（IR）：3mA（典型值）

• 工作温度范围：-65°C至+175°C

• 封装形式：DO-214AB（SMC）

• 引脚数：2

• 高度：2.61mm（或根据具体数据手册有所不同）

• 尺寸（长x宽）：7.15mm x 6.25mm（或根据具体数据手册有所不同）

• 原产国家：美国

• 制造商：ON Semiconductor Inc.

六、进一步的应用细节

1. 高效能电源转换：在高效能电源转换系统中，MBRS360T3G的低正向压降特性能够显著减少功率损失，提高整体能源转换效率。无论是用于笔记本电脑适配器、LED照明驱动还是太阳能电池板逆变器，它都能为系统带来更高的能效比。

2. 高频信号检测与处理：在高频信号检测与处理电路中，MBRS360T3G的快速开关速度使其能够迅速响应信号的变化，准确捕捉并处理高频成分。这在无线通信、雷达系统、高速数据传输等领域尤为重要。

3. 温度敏感应用：由于其宽广的工作温度范围，MBRS360T3G特别适用于那些工作环境温度变化大的场合。在汽车电子、航空航天以及工业控制等领域，这种高温稳定性和低温工作能力显得尤为重要。

4. 小型化与集成化：随着电子产品的不断小型化和集成化，MBRS360T3G的DO-214AB封装形式为其在小型电路板和模块中的应用提供了便利。它的小巧体积和高效能特性使得设计人员能够更容易地将其集成到各种紧凑的电子设备中。

5. 环保与可持续性：作为安森美半导体产品系列的一部分，MBRS360T3G在设计和生产过程中遵循了环保和可持续性的原则。其无铅封装和符合RoHS标准的材料选择，使得它在满足现代电子产品对环保要求的同时，也为推动绿色科技的发展做出了贡献。

七、技术规格与选型指南

在选择MBRS360T3G或其他肖特基二极管时，设计人员需要考虑以下关键因素：

• 反向电压：确保所选二极管的反向电压规格高于电路中的最大反向电压，以保证其安全稳定运行。

• 正向电流：根据电路中的负载电流需求选择合适的正向电流规格。注意考虑温度对正向电流的影响，以确保在高温环境下也能满足负载需求。

• 正向压降：低正向压降有助于降低功耗和提高效率，但也需要考虑其他电气参数的综合影响。

• 开关速度：对于需要快速开关的电路，应选择具有快速开关特性的肖特基二极管。

• 封装形式与尺寸：根据电路板的布局和尺寸限制选择合适的封装形式与尺寸。

• 温度范围：确保所选二极管的工作温度范围符合应用环境的要求。

八、未来展望

随着科技的不断发展，对电子产品的性能要求越来越高。MBRS360T3G作为一款高性能的肖特基二极管，在未来将继续发挥其优势，在更多领域得到广泛应用。同时，随着新材料、新工艺的不断涌现，我们也有理由相信，未来的肖特基二极管将在性能上实现更大的突破，为电子行业的发展注入新的活力。

综上所述，安森美的MBRS360T3G肖特基二极管凭借其卓越的性能特点和广泛的应用范围，在电子行业中占据了重要地位。无论是从设计、制造还是应用的角度来看，它都是一款值得信赖的功率整流器件。