安森美BAT54HT1G肖特基二极管中文详细资料

型号与类型

安森美（ON Semiconductor）的BAT54HT1G是一款广泛应用的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），属于小信号肖特基二极管类别。该型号的二极管以其独特的性能和设计，广泛应用于各种高速开关、电路保护和电压箝位等场合。BAT54HT1G作为一种双二极管（Dual Schottky Diode）器件，具有两个独立的Schottky二极管，能够同时连接并保护两个电路。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：肖特基二极管

　　中文描述： 小信号肖特基二极管，单，30 V，200 mA，800 mV，600 mA，150°C

　　英文描述： Rectifier Diode Schottky 0.2A 5ns 2-Pin SOD-323 T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24419166-BAT54HT1G.html

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　　BAT54HT1G概述

　　BAT54HT1G是一款肖特基势垒二极管，设计用于高速开关应用，电路保护与电压钳位.极低的正向电压降低了传导损耗.小型表面安装封装非常适合用于空间有限的手持式和便携式应用.

　　快速开关速度

　　低正向电压

　　无卤素

　　200mW器件总功耗

　　应用

　　电源管理，安全

　　BAT54HT1G中文参数

　　BAT54HT1G引脚图

工作原理

肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）的工作原理基于金属与半导体之间的接触势垒。当金属与N型半导体材料接触时，由于两者的功函数（即电子逸出功）不同，会在接触界面形成一个势垒，称为肖特基势垒。这个势垒使得电子在正向偏置时能够较容易地通过，而在反向偏置时则几乎不能通过，从而实现了二极管的单向导电性。

BAT54HT1G作为肖特基二极管，其正向电压非常低，这有助于降低传导损耗，提高电路效率。同时，它的快速开关特性使得它能够在高频和快速开关应用中表现出色。在反向偏置时，BAT54HT1G能够承受较高的反向电压，从而保护电路免受反向电压的损害。

特点

1. 极低的正向电压：BAT54HT1G具有极低的正向电压（典型值-0.35V @ IF=10mAdc），这大大降低了传导损耗，提高了电路的效率。

2. 快速开关速度：肖特基二极管以其快速的开关速度著称，BAT54HT1G也不例外。其极短的开关时间和反向恢复时间（如5ns的反向恢复时间）使得它非常适合于高频和快速开关应用。

3. 微型表面安装封装：BAT54HT1G采用SOT-23或SOD-323封装，这是一种小型表面贴装封装，尺寸为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm（或类似尺寸），非常适合在空间有限的手持式和便携式应用中使用。

4. 高温工作能力：BAT54HT1G能够在较高的温度下正常工作，其工作温度范围可达-55°C至+150°C，这使得它在汽车电子、工业控制等高温环境下具有广泛的应用前景。

5. 低反向漏电流：BAT54HT1G具有低内部漏电流特性，这有助于在关闭状态下减少电流泄漏，降低功耗，提高电路效率。

6. 符合RoHS标准：该器件不含铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准，环保且安全。

应用

BAT54HT1G因其独特的性能特点，在多个领域有着广泛的应用：

1. 电源管理：在电源管理领域，如开关电源、逆变器、稳压器等电路中，BAT54HT1G可以用作保护器件，防止过电压或反向电流对电路造成损害。

2. 信号处理：在模拟信号处理、数字信号处理等电路中，BAT54HT1G可以用作信号级联保护元件，防止信号干扰或损坏。

3. 通信设备：在各类通信设备中，如手机、无线路由器、通信基站等，BAT54HT1G可用于保护和限流，确保设备的正常工作。

4. 汽车电子：在汽车电子系统中，BAT54HT1G可用于防止车载电子设备受到车载电源电压脉冲或反向电源的损害，确保汽车电子系统的稳定运行。

5. 工业控制：在工业控制领域，BAT54HT1G可用于各种需要快速开关和保护的电路，如电机驱动、传感器接口等。

参数

以下是BAT54HT1G的主要技术参数：

• 封装：SOT-23或SOD-323

• 针脚数：2

• 工作温度范围：-55°C至+150°C

• 正向电流最大值：200mA

• 正向电压最大值：600mV（或800mV @ 100mA）

• 反向电压最大值：30V

• 反向恢复时间：5ns

• 耗散功率：200mW

• 电容：10pF @ 1V, 1MHz

• 反向漏电流：2μA @ 25V

• 正向浪涌电流：600mA

• 安装类型：表面贴装型（SMD/SMT）

• RoHS：是

• 正向电压（VF）：在指定的正向电流（如10mA）下，BAT54HT1G的正向电压非常低，典型值约为0.35V。这一低正向电压特性有助于减少在正向导通时的能量损耗，使得它在低功耗应用中尤为适合。

• 反向击穿电压（VBR）：BAT54HT1G能够承受的反向电压最大值为30V，这意味着在反向电压不超过此值时，二极管将保持截止状态，不会对电路产生不良影响。当反向电压超过此值时，二极管可能会损坏或进入击穿状态，因此在实际应用中需注意反向电压的限制。

• 反向漏电流（IR）：在反向偏置条件下，BAT54HT1G的漏电流非常小，典型值在25V反向电压下为2μA。这一低漏电流特性有助于减少在反向截止状态下的功耗，同时也有助于保护电路免受反向电流的损害。

• 开关时间：BAT54HT1G具有极快的开关时间，这包括开启时间和关闭时间。其反向恢复时间特别短，仅为5ns左右，这使得它在高频和快速开关应用中能够迅速响应，减少信号失真和延迟。

• 热阻（θJA）：热阻是衡量器件散热性能的一个重要参数。BAT54HT1G的热阻值较低，这意味着它能够更有效地将内部产生的热量散发到周围环境中，保持器件的工作温度在正常范围内。

• 静态电容（Cj）：BAT54HT1G的结电容（Cj）是其在高频应用中需要考虑的一个重要因素。结电容越小，器件在高频下的性能越好。BAT54HT1G的结电容在1MHz频率下约为10pF，这使得它在高频电路中能够表现出较好的性能。

• 封装尺寸与重量：BAT54HT1G采用小型化的SOT-23或SOD-323封装，尺寸紧凑且重量轻。这种封装形式不仅便于在有限的空间内安装，还有助于减少整个电子产品的体积和重量。

• 选型与替换

• 在选择BAT54HT1G作为电路中的元器件时，需要根据具体的电路要求和应用场景来确定其是否满足需求。如果电路中的电压、电流、频率等参数超出了BAT54HT1G的规格范围，则需要考虑选择其他型号的肖特基二极管或采用其他类型的二极管进行替换。

• 在替换过程中，需要注意以下几点：

• 参数匹配：确保替换器件的主要电气参数（如正向电压、反向击穿电压、最大电流等）与原器件相匹配或更优。

• 封装兼容性：检查替换器件的封装形式是否与原器件相同或兼容，以确保能够顺利安装在电路板上。

• 环境适应性：考虑替换器件是否能够在电路的工作环境中正常工作，包括温度范围、湿度条件等。

• 成本效益：在保证性能和质量的前提下，选择成本更低的替换器件以提高产品的竞争力。

• 总结

• 安森美BAT54HT1G肖特基二极管以其极低的正向电压、快速的开关速度、高温工作能力以及小型化的封装形式等特点，在电源管理、信号处理、通信设备、汽车电子和工业控制等多个领域得到了广泛的应用。通过深入了解其工作原理、特点、应用以及技术参数等信息，我们可以更好地选择和使用这款优秀的元器件，为电路的设计和优化提供有力支持。在未来的发展中，随着电子技术的不断进步和应用领域的不断拓展，BAT54HT1G肖特基二极管将继续发挥其独特优势，为电子行业的发展贡献自己的力量。