安森美MBR0530T1G肖特基二极管中文详细资料

一、型号与类型

安森美（ON Semiconductor）生产的MBR0530T1G是一种高性能的肖特基二极管，也称为肖特基整流器。该型号的二极管以其独特的性能特点在电子行业中得到广泛应用。MBR0530T1G属于表面贴装（SMD/SMT）类型，封装形式为SOD-123，具有紧凑的尺寸和轻量化的设计，非常适合现代电子设备中对空间要求严格的应用场景。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：肖特基二极管

　　中文描述： 肖特基整流器，30 V，500 mA，单，SOD-123，2引脚，430 mV

　　英文描述： Rectifier Diode Schottky Si 30V 0.5A 2-Pin SOD-123 T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24415594-MBR0530T1G.html

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　　MBR0530T1G概述

　　MBR0530T1G是一种表面贴装肖特基功率整流二极管，采用肖特基势垒原理，具有大面积的金属硅功率二极管。非常适合低压，高频整流或表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

　　预防压力保护

　　低正向电压

　　适用于汽车和其他要求的NRVB前缀

　　独特的现场和控制变更要求

　　应用

　　车用，电源管理

　　MBR0530T1G中文参数

　　MBR0530T1G引脚图

二、工作原理

肖特基二极管（Schottky Diode）是基于肖特基势垒原理工作的半导体器件。与传统的PN结二极管不同，肖特基二极管在结构上采用金属与半导体直接接触的方式，形成金属-半导体（MS）结，从而构成肖特基势垒。这种结构使得肖特基二极管在正向导通时具有极低的电压降（通常在0.15V至0.45V之间），远低于PN结二极管的0.6V至1.7V。此外，肖特基二极管还具有非常快速的开关速度，这使得它在高频应用中表现出色。

当肖特基二极管正向偏置时，金属中的自由电子会向半导体中的导带注入，形成正向电流。由于肖特基势垒的存在，这种注入过程需要克服一定的势垒高度，因此正向电压需要达到一定的阈值（通常为0.2V左右）才能开始导通。一旦导通，肖特基二极管将允许大电流通过，同时保持极低的正向压降。

在反向偏置状态下，肖特基二极管几乎不导电，但会存在微弱的反向漏电流。当反向电压增加到一定程度时，肖特基势垒将被击穿，导致二极管反向击穿并产生大量电流。因此，肖特基二极管在反向电压下的承受能力相对有限，需要在使用时注意反向电压的限制。

三、特点

1. 低正向电压降：MBR0530T1G在正向导通时具有极低的电压降（430mV@500mA），这有助于提高系统的整体效率，降低功耗。

2. 快速开关速度：肖特基二极管的快速开关特性使得MBR0530T1G非常适合高频整流和快速开关应用。

3. 紧凑尺寸和轻量化：采用SOD-123封装形式，MBR0530T1G具有紧凑的尺寸和轻量化的设计，便于在小型化和便携式电子设备中使用。

4. 高反向电压承受能力：虽然肖特基二极管在反向电压下的承受能力相对有限，但MBR0530T1G仍能提供高达30V的重复反向电压承受能力，满足多数低压应用的需求。

5. 宽工作温度范围：MBR0530T1G的工作温度范围从-65°C至+125°C，适用于各种恶劣的工作环境。

四、应用

由于MBR0530T1G肖特基二极管具有上述特点，它在多个领域得到广泛应用：

1. 电源管理：在电源管理系统中，MBR0530T1G可用于整流、电压钳位和放电保护等电路，提高电源的稳定性和可靠性。

2. 汽车电子：在汽车电子系统中，MBR0530T1G可用于车载电源、电机控制等电路，满足汽车对高效率和可靠性的要求。

3. 高频通信：由于其快速开关速度和低正向压降，MBR0530T1G在高频通信系统中得到广泛应用，如射频放大器、混频器等。

4. 便携式设备：在智能手机、平板电脑等便携式设备中，MBR0530T1G可用于电池充电管理、电源转换等电路，提高设备的续航能力和使用体验。

5. 太阳能电池：在太阳能电池板中，MBR0530T1G可用于将太阳能转换为电能的过程中的整流和电压保护电路。

五、参数

以下是MBR0530T1G肖特基二极管的主要参数：

• 型号：MBR0530T1G

• 品牌：ON安森美

• 封装：SOD-123

• 正向电流（If）：500mA

• 重复反向电压（Vrrm）：30V

• 正向电压（Vf）：430mV@500mA

• 正向浪涌电流（Ifsm）：5.5A

• 反向电流（Ir）：130uA@30V

• 电容（Cj）：典型值约为几pF至几十pF，具体值依封装和工艺而定，用于描述二极管在高频应用中的行为。

• 结温（Tj）：最高可达+125°C，这是二极管在连续工作下所能承受的最高温度。

• 热阻（RθJA）：从结点到周围空气的热阻，通常用于计算二极管在给定功率耗散下的温升。MBR0530T1G的热阻较低，有助于散热，提高器件的可靠性。

• 反向恢复时间（trr）：这是肖特基二极管从反向阻断状态转换到正向导通状态所需的时间，MBR0530T1G以其极短的反向恢复时间著称，非常适合高速开关应用。

• 正向电压温度系数：表示正向电压随温度变化的速率，MBR0530T1G的正向电压温度系数通常较小，有助于保持电路在不同温度下的稳定性。

• 漏电流（Ileak）：在反向偏置电压下，通过二极管的微小电流。MBR0530T1G的漏电流在额定反向电压下非常低，有助于减少功耗和热量产生。

• 峰值正向浪涌电流（IFSM）：二极管在短暂时间内能够承受的最大正向电流，这一参数对于保护二极管免受浪涌电流损害至关重要。MBR0530T1G具有较高的峰值正向浪涌电流承受能力，适用于需要承受突发大电流的应用场景。

六、其他特性与注意事项

• 静电敏感：所有半导体器件都是静电敏感的，MBR0530T1G也不例外。在处理和安装过程中，应采取适当的静电防护措施，如佩戴静电手环、使用静电屏蔽袋等，以避免因静电放电（ESD）导致的器件损坏。

• 温度效应：肖特基二极管的正向电压和漏电流等参数会随着温度的变化而变化。因此，在设计电路时，应充分考虑温度对二极管性能的影响，并采取相应的补偿措施。

• 封装与散热：MBR0530T1G采用SOD-123封装，虽然紧凑但散热面积相对较小。在功率较大的应用中，应确保二极管有足够的散热路径，以避免因过热而导致的性能下降或损坏。

• 可靠性：安森美半导体以其高品质的产品和严格的质量控制而闻名。MBR0530T1G经过严格的测试和验证，具有较高的可靠性和长寿命，适合在要求严苛的应用环境中使用。

七、总结

MBR0530T1G作为安森美半导体生产的一种高性能肖特基二极管，以其低正向电压降、快速开关速度、紧凑尺寸和轻量化设计等特点，在电源管理、汽车电子、高频通信、便携式设备及太阳能电池等多个领域得到广泛应用。在设计和使用MBR0530T1G时，应充分考虑其电气特性、温度效应和封装与散热等因素，以确保电路的稳定性和可靠性。通过合理的电路设计和恰当的防护措施，可以充分发挥MBR0530T1G的优势，为各种电子设备提供高效、可靠的电源管理和信号整流解决方案。