ON安森美NTMS10P02R2G MOS管中文资料

一、型号与类型

ON安森美（ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，其产品线涵盖了广泛的分立器件、逻辑IC、模拟IC以及定制解决方案。NTMS10P02R2G是ON安森美生产的一款P沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号以其优异的电气特性和封装形式，广泛应用于各种电子设备和系统中。

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述： 单P沟道，增强模式功率MOSFET，-20V，-10A，14mΩ

英文描述： Power MOSFET-10 Amps-20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36658163-NTMS10P02R2G.html

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NTMS10P02R2G中文参数

NTMS10P02R2G概述

功率MOSFET，10 A，-20 V，P沟道增强模式，单SOIC?8封装

特性

超低R DS(on)

更高效率延长电池寿命

逻辑电平栅极驱动

微型SO-8表面贴装封装

二极管表现出高速、软恢复

雪崩能量指定

提供SOIC-8安装信息

应用

便携式和电池供电产品的电源管理

蜂窝电话和无绳电话

PCMCIA卡

NTMS10P02R2G引脚图

二、工作原理

MOSFET是一种电压控制型半导体器件，其工作原理基于金属-氧化物-半导体结构。在NTMS10P02R2G中，当栅极（G）相对于源极（S）施加负电压时，会在栅极下方的P型半导体表面形成一个N型导电沟道，使得漏极（D）和源极之间得以导通。这种导通状态是通过改变栅极电压来控制的，从而实现了对电流的控制。

对于P沟道MOSFET而言，当栅极电压为负压时，沟道形成并允许电流从源极流向漏极；而当栅极电压为正或为零时，沟道消失，器件截止。这种特性使得P沟道MOSFET在需要负电压控制的电路中非常有用。

三、特点

1. 超低RDS(on)：NTMS10P02R2G具有极低的漏源导通电阻（RDS(on)），这有助于减小器件在工作时的功率损耗，提高系统效率，并有助于延长电池寿命。

2. 逻辑电平栅极驱动：该MOSFET适用于逻辑电平驱动，即其栅极电压范围与常见的数字逻辑电平相兼容，便于与微控制器、FPGA等数字电路接口。

3. 微型SO-8表面贴装封装：采用SOIC-8封装形式，具有体积小、重量轻、易于自动化组装和节省PCB空间等优点。

4. 高速、软恢复二极管特性：内置的二极管表现出高速、软恢复特性，有助于改善电路中的瞬态响应和降低电磁干扰。

5. 宽工作温度范围：支持从-55°C到+150°C的宽工作温度范围，适用于各种恶劣环境条件下的应用。

四、应用

NTMS10P02R2G因其独特的性能特点，在多个领域得到了广泛应用：

1. 电源管理模块：在便携式设备和电池供电产品中，NTMS10P02R2G可用于电源管理模块，实现高效的电能转换和分配。其低导通电阻和高效率特性有助于延长电池续航时间，提高设备整体性能。

2. 电机控制：在电机控制应用中，该MOSFET可用于电机驱动模块，控制电机的启停、速度调节和反向运行。其高电流承受能力和快速响应特性使其成为高性能电机控制的理想选择。

3. LED照明：在LED照明系统中，NTMS10P02R2G可用于控制LED灯的亮度和颜色。其低导通电阻有助于减小功率损耗，提高照明效率，并提供稳定的电流输出以保证LED灯的长寿命和良好性能。

4. 电池管理和保护：在电池管理和保护模块中，该MOSFET可用于控制电池充电和放电的开关，确保电池的安全和延长使用寿命。其快速响应和精确控制特性有助于防止电池过充、过放和短路等异常情况的发生。

5. 电子开关：NTMS10P02R2G还可用于各种电子开关应用，如电子锁、继电器、开关电路和电子控制器等。其高可靠性和长寿命特性使得它成为这些应用中不可或缺的组成部分。

五、参数

以下是NTMS10P02R2G的主要电气参数：

• 制造商：ON Semiconductor（安森美）

• 通道类型：P沟道

• 连续漏极电流（ID）：8.8A（典型值），部分资料中提及为-10A或-8A，具体取决于测试条件和封装形式。

• 漏源极击穿电压（Vds）：20V

• 漏源导通电阻（RDS(on)）：14mΩ @ VGS = -4.5V（典型值），不同测试条件下可能有所不同。

• 栅极-源极电压（Vgs）：最大±12V

• 栅源极阈值电压（Vth）：1.2V（典型值），部分资料中提及为-0.6V至-2V，这取决于具体型号和测试条件。

• 功率耗散（Pd）：该参数描述了MOSFET在特定条件下能够安全承受的最大功率。对于NTMS10P02R2G，其具体功率耗散值会根据封装形式、环境温度以及散热条件等因素有所不同，但通常会在数据手册中给出一定的范围或最大值。

• 工作温度范围：如前所述，NTMS10P02R2G支持从-55°C到+150°C的宽工作温度范围，这使得它能够在各种极端环境条件下稳定工作。

• 封装形式：SO-8（SOIC-8），这是一种小型表面贴装封装，适合高密度电路板布局，并便于自动化生产。

• 开关时间：包括开启时间（ton）和关闭时间（toff），这些参数决定了MOSFET在开关状态转换时的速度。NTMS10P02R2G通常具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。

• 静电放电（ESD）保护：虽然具体数值可能不在常规数据表中直接列出，但大多数现代MOSFET都包含一定程度的ESD保护，以防止在制造、组装或使用过程中因静电放电而损坏。

• 热阻（θJA, θJC）：这些参数描述了MOSFET内部产生的热量通过封装散发到周围环境或PCB上的能力。热阻越低，表示散热性能越好，有助于在高功率应用中保持器件温度在安全范围内。

六、进一步讨论

在选择和使用NTMS10P02R2G时，除了上述电气参数外，还需要考虑一些其他因素：

• 布局与布线：合理的PCB布局和布线对于确保MOSFET的性能至关重要。应避免在MOSFET周围布置过多的热敏元件或高噪声源，以减少热干扰和电磁干扰。

• 散热设计：在高功率应用中，需要特别注意散热设计。可以通过增加散热片、使用导热胶或优化PCB布局等方式来提高散热性能。

• 驱动电路设计：MOSFET的驱动电路设计对于其性能和可靠性也有重要影响。应确保驱动电路能够提供足够的栅极驱动电流和适当的栅极电压波形，以实现快速、稳定的开关动作。

• 保护电路：为了防止MOSFET在过流、过压或过热等异常情况下损坏，通常需要设计相应的保护电路。这些保护电路可以包括限流电阻、保险丝、热敏电阻、过压保护二极管等。

七、总结

ON安森美的NTMS10P02R2G是一款性能优异的P沟道增强型功率MOSFET，具有低RDS(on)、高速开关、宽工作温度范围以及小型化封装等特点。它广泛应用于电源管理、电机控制、LED照明、电池管理和保护以及电子开关等多个领域。在选择和使用该MOSFET时，需要综合考虑其电气参数、布局布线、散热设计、驱动电路设计以及保护电路等方面的因素，以确保其能够稳定、可靠地工作并发挥出最佳性能。