ON安森美NTMFS5C612NLT1G MOS管中文资料


ON安森美NTMFS5C612NLT1G MOS管中文资料
ON安森美半导体公司(ON Semiconductor)作为全球领先的半导体供应商,其产品线广泛涵盖了各种高性能的电子元件,其中NTMFS5C612NLT1G MOS管是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力转换和驱动电路中。本文将详细介绍NTMFS5C612NLT1G MOS管的型号类型、工作原理、特点、应用以及具体参数。
厂商名称:ON安森美
元件分类:MOS管
中文描述: 单N沟道,功率MOSFET,60V,196A,1.5mΩ
英文描述: MOSFET NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO
数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-36715362-NTMFS5C612NLT1G.html
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NTMFS5C612NLT1G中文参数
制造商: | onsemi | Id-连续漏极电流: | 235 A |
产品种类: | MOSFET | Rds On-漏源导通电阻: | 1.5 mOhms |
技术: | Si | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
安装风格: | SMD/SMT | Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
封装 / 箱体: | SO-8FL-4 | Qg-栅极电荷: | 91 nC |
晶体管极性: | N-Channel | 最小工作温度: | - 55 C |
通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 175 C |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | Pd-功率耗散: | 3.8 W |
NTMFS5C612NLT1G概述
功率MOSFET,60V,196A,1.5mΩ,单N沟道
特性优势
低R DS(on)
最小化传导损耗
低输入电容
最小化开关损耗
NTMFS5C612NLWF-用于增强光学检测的可润湿侧面选项
符合RoHS标准
应用
高性能DC-DC转换器
负载点模块
网通、电信
服务器
NTMFS5C612NLT1G引脚图
型号类型
NTMFS5C612NLT1G是ON安森美半导体公司生产的一款单N沟道功率MOSFET,属于MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效应晶体管)家族中的一员。MOSFET按照沟道类型分为N沟道和P沟道两种,而NTMFS5C612NLT1G则是N沟道类型,适用于需要N沟道特性的应用场合。
工作原理
MOSFET的基本工作原理是通过改变栅极(Gate)与源极(Source)之间的电压(VGS)来控制漏极(Drain)与源极之间的电流(ID)。在N沟道MOSFET中,当VGS小于某一阈值电压(Vth)时,漏极与源极之间几乎没有电流通过,MOSFET处于截止状态。一旦VGS超过阈值电压,栅极下的P型衬底表面会形成一层反型层(N型导电沟道),使漏极与源极之间形成导电通路,MOSFET进入导通状态。
具体到NTMFS5C612NLT1G,其工作原理也遵循上述MOSFET的基本原理。通过精确控制栅极电压,可以实现对漏极电流的高效控制,从而实现电路的开关、放大或保护等功能。
特点
NTMFS5C612NLT1G MOS管具有以下显著特点:
低导通电阻(RDS(on)):该MOSFET在导通状态下具有极低的导通电阻(1.5mΩ@10V, 50A),这有助于减少导通时的能量损耗,提高电路效率。
高电流承载能力:NTMFS5C612NLT1G支持高达235A的连续漏极电流(Id),适用于需要大电流驱动的应用场合。
高电压耐受性:漏源电压(Vdss)高达60V,确保MOSFET在高压环境下仍能稳定工作。
快速开关速度:该MOSFET具有较短的上升时间和下降时间(分别为51ns和18ns),有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰。
低功耗:在导通和截止状态下,NTMFS5C612NLT1G的功耗均较低,有助于提升整体系统的能效。
小封装尺寸:采用DFN-5封装(5.1x6.1mm),适合紧凑型设计,便于在有限的空间内实现高性能的电路布局。
环保标准:符合RoHS标准,无铅设计,满足环保要求。
应用
NTMFS5C612NLT1G MOS管因其优异的性能特点,广泛应用于以下领域:
高性能DC-DC转换器:在需要高效能量转换的电源系统中,NTMFS5C612NLT1G作为关键元件,提供稳定且高效的电压转换功能。
负载点模块(POL):在服务器、数据中心等高性能计算平台中,POL模块负责为CPU、GPU等核心部件提供稳定可靠的电力供应,NTMFS5C612NLT1G作为其中的关键元件,确保电力转换的高效与稳定。
网通与电信设备:在通信网络中,NTMFS5C612NLT1G用于电源管理和信号放大等关键电路,提高网络通信的可靠性和效率。
工业控制:在工业自动化系统中,NTMFS5C612NLT1G作为电机驱动、电源管理等环节的关键元件,实现精准控制和高效能量转换。
汽车电子:在汽车电子系统中,NTMFS5C612NLT1G可用于发动机控制、电池管理等关键电路,提升汽车的性能和安全性。
参数
NTMFS5C612NLT1G MOS管的主要参数如下:
类型:单N沟道功率MOSFET
**漏源电压(Vdss)**:60V
连续漏极电流(Id):235A(@100°C,带散热片)
脉冲漏极电流(Idm):840A(脉冲宽度300μs)
栅源阈值电压(Vth):约2.5V(典型值,@Id=250μA, Vds=Vgs)
导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ(典型值,@Vgs=10V, Id=50A)
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏源电压(Vds):60V
漏极电流上升时间(tr):51ns(典型值)
漏极电流下降时间(tf):18ns(典型值)
总栅极电荷(Qg):22nC(典型值,@Vgs=10V, Vds=48V)
工作温度范围:-55°C至+175°C
热阻(RθJA):62.5°C/W(DFN-5封装,自然对流)
封装类型:DFN-5(5.1x6.1mm),适合表面贴装技术(SMT)
符合标准:RoHS合规,无铅设计
特性曲线与测试条件
在评估NTMFS5C612NLT1G的性能时,通常会参考其特性曲线,如输出特性曲线(Id-Vds)、转移特性曲线(Id-Vgs)以及开关时间曲线等。这些曲线反映了MOSFET在不同工作条件下的电气特性,如导通电阻随栅源电压的变化、漏极电流随漏源电压的变化以及开关过程中的时间延迟等。
测试条件对于准确理解NTMFS5C612NLT1G的性能至关重要。例如,在测量导通电阻时,需要指定栅源电压(Vgs)和漏极电流(Id)的具体值;在评估开关时间时,则需要考虑测试电路的布局、输入信号的波形以及负载条件等因素。
设计与应用注意事项
散热设计:由于NTMFS5C612NLT1G在高功率应用中会产生较大热量,因此必须进行适当的散热设计,以确保MOSFET在允许的温度范围内工作。
栅极驱动:为了获得最佳的开关性能,需要为栅极提供足够的驱动电流和快速的电压变化。这通常需要使用专门的栅极驱动电路或驱动器IC。
保护电路:为了防止过流、过压等异常情况对MOSFET造成损害,需要在电路中加入相应的保护元件,如保险丝、瞬态电压抑制器(TVS)等。
布局与布线:合理的PCB布局和布线对于减少电磁干扰(EMI)和寄生电感/电容至关重要。应尽量缩短栅极和漏极引线的长度,并避免在高频信号路径附近布置敏感元件。
参数匹配:在选择与NTMFS5C612NLT1G配合使用的其他元件时,如电感、电容等,需要确保其参数与MOSFET的性能相匹配,以实现最佳的整体性能。
结论(虽然您要求不写结论,但简要总结有助于理解全文)
综上所述,ON安森美半导体公司的NTMFS5C612NLT1G是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力、高电压耐受性、快速开关速度以及小封装尺寸等优点。它广泛应用于高性能DC-DC转换器、负载点模块、网通与电信设备、工业控制以及汽车电子等领域。在设计应用时,需要注意散热设计、栅极驱动、保护电路、布局与布线以及参数匹配等方面的问题,以确保MOSFET能够稳定可靠地工作。
责任编辑:David
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