onsemi 2N7000BU MOS管中文资料

一、概述

2N7000BU是由onsemi公司生产的一种N沟道增强型MOSFET。这种MOSFET因其低导通电阻和高输入阻抗的特点，被广泛应用于各种电子电路中，尤其适用于开关和放大电路。

厂商名称：onsemi

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-226AA，通孔

英文描述： MOSFET Transistor，N Channel，200 mA，60 V，5 ohm，10 V，3.9 V

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36712992-2N7000BU.html

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2N7000BU概述

2N7000BU是一种先进的小信号N沟道增强模式MOSFET，采用高单元密度DMOS技术生产。它最大限度地减少了导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。它特别适用于低电压、低电流的应用，如功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

快速的开关时间

提高了电感的坚固性

更低的输入电容

扩展的安全工作区域

改进的高温可靠性

2N7000BU中文参数

通道类型:N通道

晶体管极性:N沟道

电流，Id连续:200mA

漏源电压，Vds:60V

漏源接通状态电阻:5ohm

在电阻RDS(上):5ohm

Rds(on)测试电压:10V

阈值栅源电压最大值:3.9V

晶体管安装:通孔

功耗Pd:400mW

晶体管封装类型:TO-226AA

针脚数:3引脚

功率耗散:400mW

工作温度最高值:150°C

2N7000BU引脚图

二、型号类型

onsemi公司生产的2N7000系列MOSFET，包括多种不同的封装和改进型号，常见的包括：

1. 2N7000：基础型号，TO-92封装。

2. 2N7002：SOT-23封装，更适合表面贴装。

3. 2N7000BU：与2N7000功能相同，但带有不同的标识或改进的制造工艺。

4. NTR1P02：P沟道版本，适用于需要P沟道MOSFET的电路。

不同型号在封装和某些特定参数上有区别，但它们的基本功能和工作原理相同。

三、工作原理

MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种基于电场控制的半导体器件。2N7000BU作为N沟道增强型MOSFET，其工作原理如下：

1. 导通：当在栅极（G）和源极（S）之间施加足够的正电压（通常为2-3V以上），栅极下方的N型半导体会形成一个导电沟道，电子可以自由通过，从而使漏极（D）与源极（S）之间导通。

2. 关断：当栅极电压低于阈值电压时，N型半导体中没有形成导电沟道，漏极和源极之间的电流被切断，MOSFET处于关断状态。

四、特点

2N7000BU具有以下主要特点：

1. 低导通电阻：R_DS(on)值较低，使得它在导通状态下有较低的功率损耗。

2. 高输入阻抗：由于栅极是由绝缘层隔离的，因此MOSFET的输入阻抗非常高，几乎不会对前级电路造成负担。

3. 快速开关速度：MOSFET可以在非常短的时间内从导通状态切换到关断状态，适合高速开关电路。

4. 低栅极电荷：低栅极电荷意味着在切换过程中所需的能量较小，提高了整体效率。

五、应用

2N7000BU因其独特的特点，广泛应用于以下几个领域：

1. 开关电源：用于高效的直流-直流转换器中，提供快速、高效的开关控制。

2. 信号放大：在模拟电路中用作小信号放大器，由于其高输入阻抗和线性区域的良好特性，使得信号放大更加稳定。

3. 驱动电路：用于驱动小型继电器、LED等负载，能够提供较大的电流和电压转换。

4. 保护电路：作为保护元件，防止过流和过压对电路的损坏。

5. 模拟电路：在模拟开关、混频器等电路中发挥关键作用。

六、参数

2N7000BU的主要电气参数如下：

1. 最大漏源电压（V_DS）：60V

2. 最大栅源电压（V_GS）：±20V

3. 漏极连续电流（I_D）：200mA（@25℃）

4. 漏极峰值电流（I_D(pulse)）：500mA

5. 导通电阻（R_DS(on)）：最大值5Ω（V_GS=10V, I_D=500mA）

6. 栅极阈值电压（V_GS(th)）：1-2.5V

7. 栅极电荷（Q_g）：最大值20nC

8. 漏极-源极反向二极管：

• 正向电流（I_F）：200mA

• 正向电压（V_F）：最大值1.3V（I_F=200mA）

七、实际应用中的考虑

在实际应用中，设计师应注意以下几点：

1. 热管理：尽管2N7000BU具有良好的性能，但在高电流应用中可能会产生热量。适当的散热措施，如散热片或强制风冷，是必要的。

2. 栅极驱动电路：确保驱动电路能够提供足够的栅极电压，以便快速可靠地切换MOSFET。

3. 电磁干扰（EMI）：由于MOSFET的高速开关特性，可能会产生电磁干扰。设计电路时应考虑EMI的抑制措施，如滤波器和屏蔽。

4. 安全工作区（SOA）：在设计过程中，必须确保MOSFET的工作电流和电压始终保持在安全工作区内，避免器件损坏。

八、总结

2N7000BU作为一种性能优良的N沟道增强型MOSFET，因其低导通电阻、高输入阻抗和快速开关速度等特点，被广泛应用于各种电子电路中。设计师在使用时应注意热管理、栅极驱动和EMI抑制等方面的问题，以确保电路的稳定性和可靠性。

这种MOSFET适用于开关电源、信号放大、驱动电路、保护电路和模拟电路等多个领域，是一种非常灵活和高效的电子元件。在选择和应用2N7000BU时，详细了解其电气参数和实际工作环境，是实现最佳性能的关键。