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onsemi BCP53T1G PNP双极外延晶体管中文资料

来源:
2024-07-03
类别:基础知识
eye 16
文章创建人 拍明芯城

onsemi BCP53T1G PNP双极外延晶体管

onsemi BCP53T1G是一款高性能的PNP双极外延晶体管。PNP晶体管由两个p型半导体材料和一个n型半导体材料构成,中间的n型材料被两个p型材料包夹。BCP53T1G属于小信号晶体管,主要用于放大和开关应用中。

BCP53T1G图片

厂商名称:onsemi

元件分类:三极管

中文描述: 单晶体管双极,通用,PNP,80 V,1.5 A,1.5 W,SOT-223,表面安装

英文描述: Bipolar Transistors-BJT 1.5A 100V PNP

数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-24021862-BCP53T1G.html

在线购买:立即购买

BCP53T1G概述

BCP53T1G是一款80V PNP双极外延晶体管,设计用于通用放大器应用。适用于低功耗表面安装应用。封装可兼容波峰焊或回流焊。引线在焊接过程中可热应力,从而避免芯片损坏。

无卤素

NPN款式为BCP56

应用

工业,电源管理

BCP53T1G中文参数

制造商:onsemi

产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-223-4

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压VCEO:80 V

集电极—基极电压VCBO:100 V

发射极-基极电压VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:500 mV

最大直流电集电极电流:1.5 A

Pd-功率耗散:1.5 W

增益带宽产品fT:50 MHz

最小工作温度:-65 C

最大工作温度:+150 C

系列:BCP53

集电极连续电流:1.5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:25

BCP53T1G引脚图

image.png

型号后缀解释

在型号BCP53T1G中,各个字母和数字具有特定的含义:

  • BCP:表示双极型晶体管。

  • 53:表示该型号的特定系列。

  • T1:通常表示封装类型或其他制造特性。

  • G:表示器件符合RoHS标准,无铅环保。

工作原理

BCP53T1G PNP双极外延晶体管的工作原理基于半导体材料中的电流控制机制。PNP晶体管有三个主要引脚:发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。其工作原理可概述如下:

  1. 发射极-基极结(EB结):PNP晶体管的发射极和基极之间形成一个正向偏置的PN结。当基极电压低于发射极电压时,EB结导通,电子从基极流向发射极。

  2. 基极-集电极结(BC结):PNP晶体管的基极和集电极之间形成一个反向偏置的PN结。当集电极电压低于基极电压时,BC结反偏,基极电流非常小。

  3. 电流放大效应:在PNP晶体管中,少量的基极电流控制着较大的发射极到集电极的电流。这种电流放大效应使得PNP晶体管可以用于信号放大和开关操作。

特点

BCP53T1G PNP双极外延晶体管具有以下几个显著特点:

  1. 高电流增益:该器件具有高电流增益(hFE),这意味着小基极电流可以控制较大的集电极电流。

  2. 低饱和电压:BCP53T1G具有较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),这在开关应用中可以减少功耗和热量生成。

  3. 快速开关速度:该晶体管具有较快的开关速度,适合于高速开关电路。

  4. 可靠性高:作为onsemi的产品,BCP53T1G具有高可靠性和长寿命。

应用

BCP53T1G PNP双极外延晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要包括以下几个方面:

  1. 信号放大:由于其高电流增益,BCP53T1G常用于小信号放大电路中,如音频放大器和RF放大器。

  2. 开关电路:低饱和电压和快速开关速度使其在开关电路中表现出色,常用于电源管理和逻辑电路中。

  3. 电流驱动:该晶体管也用于驱动较高电流负载,如继电器、LED和电机。

  4. 保护电路:在一些电路中,BCP53T1G被用作保护元件,以防止过电流或过电压。

参数

BCP53T1G的主要参数如下:

  1. 最大集电极电流(IC):800 mA

  2. 最大集电极-发射极电压(VCEO):60 V

  3. 最大集电极-基极电压(VCBO):80 V

  4. 最大发射极-基极电压(VEBO):5 V

  5. 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.5 V(典型值,IC=500mA,IB=50mA)

  6. 最大功耗(Ptot):1 W

  7. 工作温度范围(Tj):-55°C 至 150°C

  8. 电流增益(hFE):100 至 400(典型值,IC=500mA,VCE=2V)

结构与封装

BCP53T1G采用SOT-223封装,这是一种小型塑料封装,具有以下优点:

  1. 体积小:SOT-223封装紧凑,占用电路板空间小。

  2. 散热性能好:封装设计良好,能够有效散热,保证晶体管在大电流工作时的稳定性。

  3. 易于焊接:适用于表面贴装技术(SMT),便于大规模自动化生产。

使用注意事项

在使用BCP53T1G时,需要注意以下几点:

  1. 偏置电压:确保基极-发射极结的正向偏置电压适当,以确保晶体管正常工作。

  2. 功率限制:不要超过器件的最大功耗,以防止过热损坏。

  3. 电流保护:在大电流应用中,建议使用适当的限流措施,防止集电极电流过大。

  4. 静电保护:在处理过程中要注意静电防护,以避免器件损坏。

BCP53T1G是一款性能优良的PNP双极外延晶体管,凭借其高电流增益、低饱和电压和快速开关速度,在信号放大、开关电路等方面具有广泛的应用前景。通过正确的使用和保护,可以充分发挥其优异的电气性能。

责任编辑:David

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