Infineon IRLML2402TRPBF MOS管中文资料

一、型号类型

IRLML2402TRPBF 是 Infineon 公司生产的一种 N 沟道功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）。MOSFET 是一种常用于电子设备的半导体器件，因其高效能、高输入阻抗和低功耗特性，被广泛应用于各种电子电路中。

厂商名称：Infineon

元件分类：MOS管

中文描述： 功率场效应管，MOSFET，N通道，20 V，1.2 A，0.25 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述： N-Channel MOSFET，1.2 A，20 V HEXFET，3-Pin SOT-23 Infineon

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24423558-IRLML2402TRPBF.html

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IRLML2402TRPBF概述

IRLML2402PBF是一款N沟道HEXFET®功率MOSFET，开关损耗更低，可靠性更高。Infineon利用先进的加工技术实现了单位硅面积的极低导通电阻。这一优点与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计者提供了用于各种应用的极其高效和可靠的器件。

业界标准引脚排列

MSL1，消费产品认证

低轮廓(<1.1mm)

快速开关速度

超低导通电阻

IRLML2402TRPBF中文参数

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.2 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-12 V，+12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV

Qg-栅极电荷:2.6 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+150 C

Pd-功率耗散:540 mW

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:4.8 ns

正向跨导-最小值:1.3 S

IRLML2402TRPBF引脚图

二、工作原理

MOSFET 的基本工作原理是通过栅极（Gate）电压来控制源极（Source）和漏极（Drain）之间的电流流动。具体来说，当栅极电压超过阈值电压（V_th）时，会在半导体材料中形成一个导电通道，从而允许电流从漏极流向源极。

IRLML2402TRPBF 作为一个增强型 N 沟道 MOSFET，当栅极电压为正时，电子被吸引到栅极氧化层下方的沟道区域，形成一个 n 型导电通道，允许电流从漏极流向源极。此时，MOSFET 处于导通状态。当栅极电压低于阈值电压时，导电通道消失，MOSFET 处于截止状态，漏源间没有电流流过。

三、特点

IRLML2402TRPBF 具有以下几个显著特点：

1. 低导通电阻（R_DS(on)）：其典型值为0.08Ω，意味着在导通状态下，漏源之间的电阻非常低，从而减少了功率损耗和发热。

2. 高速开关性能：由于其低栅极电荷（Qg）和低延迟时间，IRLML2402TRPBF 可以在高频率下快速切换，适用于高速开关应用。

3. 低栅极驱动电压：其栅极驱动电压范围较宽，通常为2.5V至12V，方便与低电压逻辑电路兼容。

4. 增强型设计：该 MOSFET 设计为增强型，意味着在栅极电压为0V时，器件处于关闭状态，具有更好的控制能力。

四、应用

IRLML2402TRPBF 由于其高效能和低功耗特性，被广泛应用于以下领域：

1. DC-DC 转换器：用于提高能量转换效率，减少电能损耗。

2. 电机驱动：在电机控制电路中作为开关元件，控制电机的启停和速度调节。

3. 电源管理：用于各种便携式电子设备和嵌入式系统的电源管理电路，优化电源分配和节能。

4. 负载开关：在各种电子设备中用作负载开关，控制电路的通断。

5. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑电路之间进行电平转换，确保电路正常工作。

五、参数

以下是 IRLML2402TRPBF 的主要技术参数：

这些参数反映了 IRLML2402TRPBF 在不同工作条件下的性能表现，可以帮助工程师在设计电路时做出正确的选择和判断。

六、详细分析

1. 低导通电阻：低导通电阻是 MOSFET 的关键性能指标之一。IRLML2402TRPBF 的 R_DS(on) 值为 0.08Ω，意味着在器件导通时，电流通过的阻力非常小，从而减少了电能损耗和发热。这对于要求高效能的应用如 DC-DC 转换器和电源管理电路尤其重要。

2. 高速开关性能：该 MOSFET 具备较低的栅极电荷（Qg），在典型条件下为 6.6nC，能够实现快速开关。这使得 IRLML2402TRPBF 能够在高频率的电路中工作，例如开关电源和电机驱动中，提高整体系统的效率。

3. 宽栅极驱动电压范围：IRLML2402TRPBF 支持 2.5V 至 12V 的栅极驱动电压范围，使其可以与多种逻辑电平兼容，特别是在低电压逻辑电路中应用时，非常便利。

七、应用实例

1. DC-DC 转换器应用：在降压转换器中，IRLML2402TRPBF 可以作为高效开关元件，通过高速切换来调节输出电压，从而提高电源转换效率，减少能量损耗。

2. 电机驱动电路：在电机控制电路中，IRLML2402TRPBF 通过其快速开关能力，实现对电机启停和速度的精准控制，提升整体电机驱动系统的性能。

3. 便携设备中的电源管理：在智能手机、平板电脑等便携式设备中，IRLML2402TRPBF 作为负载开关或电源管理器件，能够优化电源分配，延长设备的电池寿命。

4. 逻辑电平转换器：在不同电压逻辑电路之间进行电平转换时，IRLML2402TRPBF 通过其低栅极驱动电压特性，实现平稳的电平转换，确保电路的可靠性和稳定性。

IRLML2402TRPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，因其低导通电阻、高速开关性能和宽栅极驱动电压范围，被广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理和逻辑电平转换等领域。其优异的性能和可靠性，使其在现代电子电路设计中占据了重要地位。