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Infineon IRLZ44NPBF MOS管中文资料

来源:
2024-06-26
类别:基础知识
eye 49
文章创建人 拍明芯城

Infineon IRLZ44NPBF MOS管中文资料

IRLZ44NPBF属于Infineon公司的N沟道增强型功率MOSFET。N沟道MOSFET因其导通电阻低、开关速度快等优点,在电力电子领域应用广泛。IRLZ44NPBF是IRLZ44系列的一部分,这个系列还有其他类似型号,如IRLZ34N、IRLZ24N等,它们的参数和特性略有不同,但基本都保持了较低的导通电阻和较高的电流处理能力。

IRLZ44NPBF图片

厂商名称:Infineon

元件分类:MOS管

中文描述: 功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 41 A, 0.022 ohm, TO-220AB, 通孔

英文描述: N-channel MOSFET,IRLZ44N 47A 55V

数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-36709540-IRLZ44NPBF.html

在线购买:立即购买

IRLZ44NPBF概述

IRLZ44NPBF是一款55V单N通道HEXFET®功率MOSFET,具有极低的单位硅面积导通电阻和使用先进平面技术的快速开关性能。

175°C工作温度

动态dV/dt额定值

完全雪崩额定

逻辑电平栅极驱动

应用

电源管理

IRLZ44NPBF中文参数

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:47 A

Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-16 V,+16 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Qg-栅极电荷:48 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+175 C

Pd-功率耗散:83 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

商标:Infineon/IR

配置:Single

高度:15.65 mm

长度:10 mm

IRLZ44NPBF引脚图

image.png

工作原理

MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种电压控制型器件,通过栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。对于IRLZ44NPBF这种N沟道MOSFET,当栅极-源极电压(V_GS)高于阈值电压(V_th)时,MOSFET进入导通状态,漏极和源极之间形成电流通道,电流从漏极流向源极。当V_GS低于V_th时,电流通道关闭,MOSFET进入截止状态。

具体而言,IRLZ44NPBF的栅极绝缘层是二氧化硅材料,具有高输入阻抗。当施加正的栅极电压时,N型半导体中的自由电子在栅极电场作用下移动,形成一个反型层,从而在源极和漏极之间形成导电通道。这个通道的电阻与V_GS相关,V_GS越高,导通电阻越低。

特点

IRLZ44NPBF具有以下主要特点:

  1. 低导通电阻:典型值为22毫欧,确保在大电流下具有低功耗。

  2. 高电流处理能力:最大连续漏极电流为47A,脉冲电流可达160A,适用于高功率应用。

  3. 快速开关速度:开关时间在纳秒级,有助于提高电路的工作频率和效率。

  4. 低栅极驱动电压:可以在较低的V_GS(通常为10V)下高效工作,兼容标准的逻辑电平控制。

  5. 增强型设计:确保在常规工作条件下不导通,提高了电路的安全性和稳定性。

应用

IRLZ44NPBF的应用范围非常广泛,主要包括以下几个方面:

  1. 电源管理:在DC-DC转换器、AC-DC电源中用作开关元件,提高转换效率。

  2. 电机控制:在电动车、无人机等设备中,用于控制电机的驱动。

  3. 音频放大器:在大功率音频放大器中用作输出级器件,提供稳定的电流输出。

  4. 电池管理:在电池充电器和管理系统中,确保安全高效的电池充放电。

  5. 工业控制:在自动化设备和机器人中,提供高效的电源开关和控制功能。

参数

IRLZ44NPBF的关键参数如下:

  1. 最大漏极-源极电压(V_DS):55V

  2. 最大栅极-源极电压(V_GS):±20V

  3. 连续漏极电流(I_D):47A(在25°C环境温度下)

  4. 脉冲漏极电流(I_DM):160A

  5. 导通电阻(R_DS(on)):典型值为22毫欧(在V_GS=10V时)

  6. 总栅极电荷(Q_G):67nC(在V_GS=10V,V_DS=44V时)

  7. 栅极阈值电压(V_GS(th)):1V至2V

  8. 输入电容(C_iss):约1700pF(在V_DS=25V,V_GS=0V时)

  9. 反向传输电容(C_rss):约160pF(在V_DS=25V,V_GS=0V时)

  10. 输出电容(C_oss):约460pF(在V_DS=25V,V_GS=0V时)

这些参数反映了IRLZ44NPBF的性能和应用特性,确保其在各种工作条件下都能保持高效稳定的工作状态。

总结

IRLZ44NPBF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等优点。广泛应用于电源管理、电机控制、音频放大器、电池管理和工业控制等领域。通过了解其工作原理、特点和关键参数,可以更好地在实际应用中发挥其优势,提高电路的整体性能。

责任编辑:David

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