华邦Winbond W25Q16JVSSIQ FLASH存储芯片中文资料

华邦（Winbond）W25Q16JVSSIQ是一款16Mb（兆位）的串行Flash存储芯片。它采用了标准的串行外围接口（SPI）协议，具有广泛的应用范围。W25Q16JV系列芯片有多种封装形式可供选择，其中SSIQ代表了8-SOP（150mil）的封装形式，这是一种常见的、使用广泛的封装类型。

该系列芯片包括多个不同的容量和封装型号，覆盖从4Mb到256Mb的存储容量，以满足不同应用需求。W25Q16JVSSIQ是其中的一款，具有如下特点：

• 封装类型：8-SOP（150mil）

• 存储容量：16Mb

• 接口类型：SPI

• 电压范围：2.7V至3.6V

厂商名称：华邦Winbond

元件分类：FLASH存储芯片

中文描述： 华邦,闪存芯片, 16Mbit (2M x 8), 串行接口, 8引脚 SOIC封装

英文描述： Winbond,spiFlash,3V,16M-bit,4Kb Uniform Sector

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k01-36739070-W25Q16JVSSIQ.html

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W25Q16JVSSIQ中文参数

W25Q16JVSSIQ概述

16MB串行闪存，具有统一的4KB扇区和双路/四路SPI

统一的4KB可擦除扇区和32KB/64KB可擦除块

页编程时间为0.4mS(典型值)

连续读取，8/16/32/64字节包绕

时钟工作频率高达133MHz(双路/四路SPI时分别为266/532MHz)

2.7至3.6V电源

2mA有源读取电流、<1μA断电电流

-40°C至+85°C工作范围

编程/擦除暂停/恢复、暂停状态位

工厂编程的唯一ID

具有双路/四路SPI的电子ID，为顶部或底部块提供硬件和软件写入保护

易失和非易失状态寄存器位

锁定和OTP保护

串行闪存可发现参数(SFDP)

3x256字节安全寄存器，带OTP锁

补充阵列保护位

单个块/扇区写入保护

软件重置和可配置硬件/复位引脚

可编程输出驱动器强度

W25Q16JVSSIQ引脚图

工作原理

W25Q16JVSSIQ采用了串行Flash存储技术，通过SPI接口进行数据读写操作。它内部包含以下主要模块：

1. 存储阵列：这是实际存储数据的区域，分为多个扇区和块，便于数据管理和擦写操作。

2. 控制逻辑：负责管理芯片的操作，包括指令解码、地址生成和数据传输控制。

3. 输入/输出（I/O）引脚：包括SPI总线的所有信号引脚，如MOSI、MISO、SCLK和CS。

4. 电源管理模块：确保芯片在各种电压范围内稳定工作。

SPI接口是一种全双工同步串行通信协议，通常包括四个信号引脚：

• MOSI（Master Out Slave In）：主机输出从机输入，用于从主机传输数据到从机。

• MISO（Master In Slave Out）：主机输入从机输出，用于从从机传输数据到主机。

• SCLK（Serial Clock）：串行时钟，由主机产生，用于同步数据传输。

• CS（Chip Select）：芯片选择信号，由主机控制，用于选择要通信的从机。

在工作时，主机通过拉低CS引脚选择W25Q16JVSSIQ，然后通过MOSI引脚发送指令和地址，芯片接收到指令后，根据需要执行读写或擦除操作，并通过MISO引脚返回数据。

特点

W25Q16JVSSIQ具有许多独特的特点，使其在各类应用中表现优越：

1. 高速性能：支持高达104MHz的时钟频率，提供快速的读写速度。

2. 低功耗：具备深度电源下降模式和待机模式，降低功耗。

3. 宽电压范围：工作电压从2.7V到3.6V，适应各种电源环境。

4. 数据保护功能：包括软件写保护和硬件写保护，提供可靠的数据保护机制。

5. 灵活的扇区/块擦除：支持4KB扇区擦除、32KB和64KB块擦除，以及全芯片擦除，便于数据管理。

6. 高可靠性：采用先进的工艺技术，具有10万次的擦写寿命和20年的数据保持能力。

应用

W25Q16JVSSIQ因其出色的性能和多样的功能，被广泛应用于以下领域：

1. 嵌入式系统：作为固件和配置数据的存储器，提供可靠的数据存储解决方案。

2. 消费电子：在智能手机、平板电脑、数字相机等设备中，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。

3. 工业控制：在工业自动化设备中，用于存储控制程序和操作参数。

4. 汽车电子：在汽车电子控制单元（ECU）中，用于存储固件和运行数据。

5. 物联网（IoT）：在物联网设备中，用于存储设备固件和传感器数据。

6. 网络通信：在路由器、交换机等网络设备中，用于存储操作系统和配置数据。

参数

W25Q16JVSSIQ的详细参数如下：

• 存储容量：16Mb（2MB）

• 接口类型：SPI

• 时钟频率：最高104MHz

• 工作电压：2.7V至3.6V

• 待机电流：典型值10µA

• 深度掉电模式电流：典型值1µA

• 擦写寿命：10万次擦写周期

• 数据保持时间：20年

• 工作温度范围：-40°C至+85°C

• 扇区大小：4KB

• 块大小：32KB、64KB

• 数据传输速率：双输出模式下最高可达208Mbps

通过这些详细的参数，可以看出W25Q16JVSSIQ在性能和可靠性方面具有显著优势，能够满足多种应用场景的需求。

综上所述，华邦Winbond W25Q16JVSSIQ Flash存储芯片凭借其高性能、低功耗和高可靠性，成为众多电子设备和系统的理想选择。