Winbond W9825G6KH-6 DDR存储器中文资料

一、概述

Winbond W9825G6KH-6是一款由华邦电子（Winbond）生产的高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），专为高性能计算应用设计。该存储器以其高速度、大容量和低功耗特性，在消费电子、工业控制、服务器及网络通信等领域得到了广泛应用。本文将从型号类型、工作原理、特点、应用以及详细参数等方面，对W9825G6KH-6进行详细介绍。

厂商名称：Winbond

元件分类：DDR存储器

中文描述： Winbond 256Mbit 166MHz SDRAM，32M x 8 bit，54引脚TSOP封装

英文描述： DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

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W9825G6KH-6概述

W9825G6KH是256M SDRAM，速度为-5/-5I/-6/-6I/-6J/-6L/-6A/-6K/-75/75J/75L。

3.3V±0.3V电源，

最高200 MHz时钟频率

4，194，304字x 4组x 16位组织

自我刷新模式：标准和低功耗

CAS延迟：2和3

突发长度：1、2、4、8和整页

突发

LDQM，UDQM

掉电模式

自动预充电和受控预充电控制的读，单写模式字节数据

8K刷新周期/64 mS， -40°C≦TA/TCASE≦85°C

8K刷新周期/16 mS， 85°C<TA/TCASE≦105°C

接口：LVTTL

不支持TA/TCASE>85°C的自刷新功能

W9825G6KH-6中文参数

二、型号与类型

型号：W9825G6KH-6

类型：DDR（动态随机存取存储器）中的SDRAM（同步动态随机存取存储器）

W9825G6KH-6属于Winbond的DDR SDRAM系列，是专为满足高速数据处理需求而设计的。DDR SDRAM相比传统的SDR（单倍数据速率）SDRAM，具有更高的数据传输速率和更低的功耗，是现代计算机系统中不可或缺的重要组件。

三、工作原理

W9825G6KH-6的工作原理基于DRAM（动态随机存取存储器）的基本架构，但采用了同步接口，即其数据传输速率与系统的时钟频率同步。这种同步设计使得数据可以在每个时钟周期的上升沿或下降沿进行传输，从而实现了双倍数据速率（DDR）。

基本操作流程：

1. 行激活（Row Activation）：通过发送ACTIVE命令，选择一个存储体内的特定行进行激活。激活后，该行内的数据被加载到行缓冲区中，准备进行读写操作。

2. 列访问（Column Access）：在行激活后，通过发送READ或WRITE命令以及列地址，访问该行内的特定数据。对于DDR SDRAM，数据访问是面向突发的，即可以连续读取或写入多个数据字。

3. 预充电（Precharge）：在访问完一个行后，需要发送PRECHARGE命令来关闭该行，以便其他行可以被激活。预充电操作是DRAM中必要的步骤，用于恢复存储单元的状态。

4. 刷新（Refresh）：由于DRAM的存储单元是电容性的，其存储的数据会随时间逐渐消失。因此，需要定期进行刷新操作，以补充电容中的电荷，保持数据的完整性。W9825G6KH-6支持标准和低功耗两种自刷新模式。

四、特点

1. 高速性能：W9825G6KH-6提供高达200MHz的时钟频率，数据带宽可达每秒200M字，能够满足高性能应用的需求。

2. 大容量：存储容量为256Mb（即32MB，16M x 16），适合需要大量数据缓存的应用场景。

3. 低功耗：支持低功耗自刷新模式，有助于延长设备的电池寿命。

4. 灵活的突发访问：支持多种突发长度（1、2、4、8和整页），可以根据应用需求进行优化，提高数据传输效率。

5. 先进的封装技术：采用TSOP II 54引脚封装，尺寸小巧，便于在紧凑的电子设备中集成。同时，封装材料符合RoHS标准，为环保贡献一份力量。

6. 宽温度范围：支持在-40°C至+85°C的温度范围内正常工作，满足各种环境下的应用需求。

五、应用

W9825G6KH-6因其高性能、大容量和低功耗等特点，在多个领域得到了广泛应用：

1. 消费电子：如智能手机、平板电脑、智能电视等，用于存储和处理多媒体数据。

2. 工业控制：在工业自动化系统中，作为主存储器或缓存，用于存储和处理实时数据。

3. 服务器及网络通信：在数据中心和网络通信设备中，用于提高数据处理速度和吞吐量。

4. 嵌入式系统：在车载电子、医疗设备、航空航天等嵌入式应用中，作为关键的数据存储和处理组件。

六、详细参数

基本参数：

• 存储容量：256Mb（32MB, 16M x 16）

• 接口类型：Parallel

• 工作电压：3.3V ± 0.3V（最高可达3.6V）

• 封装类型：TSOP II 54引脚

• 尺寸：22.35 x 10.29 x 1.05mm

• 引脚数目：54

• 温度范围：-40°C至+85°C（部分规格支持更高温度）

性能参数：

• 时钟频率：支持高达200MHz的操作频率，根据具体应用和系统配置，实际频率可能有所调整。

• 数据传输速率：在200MHz频率下，数据传输速率可达每秒400MT/s（每秒兆次传输），即每秒可传输400百万次数据。由于DDR技术的特性，实际数据传输量是时钟频率的两倍。

• 突发长度：支持可编程的突发长度，包括1、2、4、8和Full Page（全页）突发模式。突发长度的选择可以根据应用需求进行优化，以提高数据传输效率。

• CAS延迟（CL）：CAS（Column Address Strobe，列地址选通）延迟是访问DRAM中一列数据所需的时间。W9825G6KH-6的CAS延迟通常为几个时钟周期，具体值取决于系统设计和制造商的规格说明。

• RAS到CAS延迟（tRCD）：从行激活命令（RAS）到列访问命令（CAS）之间的最小延迟时间。这个参数也影响了DRAM的访问速度。

• RAS预充电时间（tRP）：从行激活到该行可以被预充电并重新激活所需的时间。较短的tRP有助于提高DRAM的带宽和效率。

• 刷新周期：DRAM需要定期刷新以保持存储的数据不丢失。W9825G6KH-6支持自动刷新功能，并规定了刷新周期的时间间隔，通常为几百微秒到几毫秒不等。

• 功耗：在正常工作模式下，W9825G6KH-6的功耗相对较低，并且支持低功耗自刷新模式，进一步降低了功耗。具体功耗值取决于操作频率、负载条件和环境温度等因素。

兼容性：

• 兼容标准：W9825G6KH-6符合JEDEC（电子工程联合委员会）制定的DDR SDRAM标准，确保与大多数现代计算机系统和电子设备的兼容性。

• 软件支持：由于其标准的DDR接口，W9825G6KH-6可以很容易地被现有的操作系统和驱动程序支持，无需特殊的硬件或软件适配。

可靠性和耐用性：

• 数据保持时间：在断电后，DRAM中的数据会迅速丢失，但W9825G6KH-6的电容设计保证了在正常工作条件下数据可以在一定时间内保持稳定。

• 耐久性：尽管DRAM的读写操作是无限次的（理论上），但频繁的刷新和电路老化可能会对器件的寿命产生影响。因此，合理的系统设计和定期的维护对于确保DRAM的长期可靠性至关重要。

总结：

Winbond W9825G6KH-6 DDR存储器以其高速性能、大容量、低功耗和广泛的兼容性，在多个领域展现了强大的应用潜力。从消费电子到工业控制，从服务器到嵌入式系统，这款存储器都是提升系统性能和数据处理能力的理想选择。通过深入了解其工作原理、特点和详细参数，我们可以更好地将其应用于实际项目中，为各类电子设备带来更加出色的性能和用户体验。