英飞凌IRF530NPBF MOS管资料

一、型号与类型

IRF530NPBF是Infineon（英飞凌）公司推出的一款N沟道功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）。MOSFET是一种避免电子电路中重要元器件缺陷，具有高输入阻抗和快速开关速度的器件。

中文描述： 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, 通孔

英文描述： N-Channel MOSFET，17 A，100 V HEXFET，3-Pin TO-220AB Infineon

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24429425-IRF530NPBF.html

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IRF530NPBF概述

Infineon公司的IRF530NPBF是一款100V单N沟道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻，动态dv/dt额定值，坚固耐用，快速开关，以及完全雪崩认证.这些功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可用于多种应用.

漏极至源极电压:100V

栅-源电压：±20V

Vgs=10V时，导通电阻Rds(on)为90mohm

25°C功率耗散Pd:70W

Vgs 10V 25°C时，连续漏电流Id:17A

工作结温范围:-55°C至175°C

应用

电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品

IRF530NPBF中文参数

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装/箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms

Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Qg-栅极电荷:24.7 nC

最小工作温度:-55 C

最大工作温度:+175 C

Pd-功率耗散:79 W

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

1.1 N沟道MOSFET

IRF530NPBF属于N沟道MOSFET，这意味着在导通时，电子作为主要的载流子从源极流向漏极。N沟道MOSFET的导通电阻较低，在大电流情况下性能优越，因此在大功率、高效率的开关电路中广泛应用。

1.2 PBF后续说明

PBF表示“无铅”（Pb-Free），表明该器件符合RoHS（有害物质限制）指令，即在制造过程中铅及其他有害物质，符合环保要求。

二、工作原理

2.1 MOSFET基本原理

MOSFET通过栅极电压控制导通与关断。当在栅极电压（G）和源极（S）之间施加正电压时，N沟道MOSFET在漏极（D）和源极之间形成导电通道，使电流从漏极流向源极，MOSFET进入导通状态；反之，当栅极电压为零或负值时，导电通道消失，MOSFET进入关断状态。

2.2 IRF530NPBF的特性

IRF530NPBF的门限电压（Vgs(th)）通常为2V至4V之间，即栅极电压达到该范围时，MOSFET开始导通。其最大漏源电压（Vds）为100V，最大连续漏极电流（Id）为17A，这些参数决定了它适用于中高电压、大电流的场景。

三、特点

IRF530NPBF作为一款高性能的N沟道MOSFET，具有以下显著特点：

3.1 低导通电阻

IRF530NPBF的导通电阻（Rds(on)）仅为0.09Ω（最大值），低导通电阻意味着在工作过程中功率损耗小，效率高，发热量低，有助于提高整个电路的可靠性和稳定性。

3.2 高速开关能力

MOSFET的开关速度取决于其频率电容和驱动电路的能力。IRF530NPBF具有较低的频率电容（典型值为370pF），使其能够在高频估算快速响应，适用于高频开关电源和变频器等应用。

3.3 高耐压性

IRF530NPBF的漏源电压（Vds）100V，使其能够在较高电压的应用程序安全工作中发挥作用，适用于电动汽车、太阳能逆变器等高压系统。

3.4 宽温度范围

IRF530NPBF可以在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种极端环境，提高了器件的应用灵活性。

四、应用

4.1 开关电源

IRF530NPBF常用于开关电源中的功率开关元件。由于其低导通电阻和高速开关能力，可以提高开关电源的转换效率，减少热损耗。

4.2 电机驱动

在电机驱动电路中，IRF530NPBF用于控制电机的停转和转速。其高电流处理能力和低导通电阻确保电机在高效、低温状态下运行。

4.3 启示录

逆变器将直流电接入交流电，避免光伏发电和不间断电源系统中。IRF530NPBF作为逆变器中的关键功率器件，能够承受该电压和电流，确保系统的稳定运行。

4.4 功率放大器

在功率放大器中，IRF530NPBF可作为功率放大元件，提供大电流和高增益输出，适用于音频放大器、射频放大器。

五、参数

5.1 绝对授权值

5.2 电气特性

5.3 热特性

IRF530NPBF作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，凭借其低导通电阻、高开关速度和高耐压特性，在各种电子电路中得到了广泛的应用。其优异的电气和热性能，确保在高效能和高可靠性要求的下载，能够稳定工作，满足各类功率转换和控制电路的需求。