传闻SK海力士(SK Hynix)即将在2017年上半启动10奈米级DRAM量产，这将是继三星电子(Samsung Electronics)之后，第二家投产10奈米级DRAM的半导体业者。目前SK海力士已完成1x奈米技术研发，同时着手开发1y奈米，并组成1z奈米研发团队，持续追求更高的技术竞争力。

据韩媒ET News报导，14日业界消息指出，SK海力士以Alius作为计画名称的1x奈米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产，正进行最后的可靠度检测，预定2017年第2季由M14新厂正式量产。

业界表示，SK海力士与三星在2z奈米DRAM的技术差距约有1年半;三星已在2016年第1季启动1x奈米DRAM量产，若SK海力士能依照进度在2017年第2季量产1x奈米DRAM，技术差距可缩小为1年3个月。

SK海力士以Davinci及Rigel分别作为1y与1z奈米DRAM的研发代号，加速追赶三星，并扩大与美光(Micron)的差距。据闻美光目前尚未进入2z产品量产。

SK海力士对开发10奈米等级DRAM技术的期望反映在研发代号上，首先是1x奈米研发代号Alius。 Alius在拉丁文中代表新世界，如同DRAM技术由20奈米跨入10奈米级，必须在记忆体结构上有所创新，突破技术瓶颈，才能解决漏电、增加电荷储存容量等问题。

至于1y奈米代号Davinci则是文艺复兴时代的代表性人物达文西，SK海力士期许自身能像达文西一般，能成为主导技术的先河;1z奈米代号Rigel则是猎户座中最亮的恒星， SK海力士期盼将来研发出的1z奈米技术可成为最受注目的焦点。

业界表示，SK海力士成功建立1x奈米DRAM的量产体系之后，两大韩厂可望与美国的技术差距拉开到1~2年。

南韩金融业界表示，2017年记忆体市场前景看好，若SK海力士的研发进度一切顺利，将有机会缔造另一波业绩高峰，挑战全年营业利益达6兆韩元(约50亿美元)的目标也非遥不可及。

DRAM

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 

DRAM的工作原理

3动态RAM的工作原理3动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

管动态RAM的工作原理

管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。

DRAM的结构

在半导体科技极为发达的台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。

海力士

Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

市场地位

在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

市场前景

海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。