原标题：ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT的介绍、特性、及应用

ROHM Semiconductor RGT20NL65是一款场停止沟槽型绝缘栅双极型晶体管（IGBT），是电力电子领域中一种重要的高压、高功率电子器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特性，具有独特的四层半导体结构（P-N-P-N）。

特性

1. 低导通损耗：RGT20NL65采用了先进的沟槽栅与场截止结构，有效降低了器件的饱和电压和导通电阻，进而降低了导通损耗，提高了整体功率密度。

2. 高效率：由于具有低导通损耗，RGT20NL65在运行时能够保持较高的效率，尤其在高频应用中表现出色。

3. 高耐压能力：该IGBT的额定电压为650V，具有较高的耐压能力，能够满足各种高电压应用的需求。

4. 快速开关特性：RGT20NL65具有快速的开关速度和短的关断时间，使其在需要频繁开关的应用中具有优势。

5. 符合AEC-Q101标准：RGT20NL65是符合AEC-Q101标准的车规级IGBT，适用于汽车和工业应用中的恶劣环境。

6. 表面贴装型封装：采用TO-263AB封装，便于在电路板上的安装和使用。

应用

1. 新能源汽车：RGT20NL65是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件之一，主要用于电动车汽车的充电桩、电动控制系统以及车载空调控制系统等。

2. 智能电网：在智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端，RGT20NL65也发挥着重要作用，为电网的稳定运行提供可靠支持。

3. 轨道交通：在轨道交通领域，RGT20NL65作为牵引变流器最核心的器件之一，为交流传动系统提供稳定可靠的电力支持。

综上所述，ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT凭借其低导通损耗、高效率、高耐压能力、快速开关特性以及符合AEC-Q101标准等特点，在新能源汽车、智能电网和轨道交通等领域有着广泛的应用前景。