产品分类
ROHM Semiconductor RGWxx65C系列内置SiC二极管的混合igbt的介绍、特性、及应用
5
拍明芯城
原标题：ROHM Semiconductor RGWxx65C系列内置SiC二极管的混合igbt的介绍、特性、及应用
RGWxx65C系列采用ROHM Semiconductor 的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SBD)在IGBT的反馈块作为一个自由旋转二极管，几乎没有恢复能量，因此，最小的二极管开关损耗。此外，由于在开启模式下IGBT不需要处理恢复电流，IGBT的开启损耗比传统IGBT中使用的硅快速恢复二极管(frd)显著降低。这两种效应加在一起，在汽车充电器中使用时，与传统igbt相比，损耗降低高达67%，与超级结mosfet (SJ mosfet)相比，损耗降低24%。这种效果提供了良好的性价比，同时有助于降低工业和汽车应用的功耗。
特性
与传统igbt相比，降低了67%的损耗，为流行的汽车电气控制单元和工业设备提供最佳的性价比。
责任编辑：David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料，版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议，请联系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用，不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点，拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为，是基于自主意愿和独立判断做出的，请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章，请联系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。
相关资讯
：
BAT剑指科大讯飞，能否让其重蹈Nuance覆辙?
三星在中国一面撤资，一面增资是为何?
半导体激光治疗仪是骗局吗?
2016全球十大电子元器件分销商排行榜
2016年10大全球电子元器件代理商排行一览表
STM32学习笔记：通用定时器基本定时功能
2012- 2022 拍明芯城ICZOOM.com 版权所有 客服热线：400-693-8369 (9:00-18:00)
