肖特基势垒二极管(SBD)与肖特基接触(schottky contacts)


原标题:肖特基势垒二极管(SBD)与肖特基接触(schottky contacts)
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)的驱动电路有多种类型,每种类型都有其特定的应用场景和优势。以下是几种常见的MOS管驱动电路类型:
1. 电源IC直接驱动
特点:
这是最简单、最常见的驱动方式。
需要注意电源IC手册中的最大驱动峰值电流,因为不同芯片的驱动能力不同。
还需要了解MOS管的寄生电容,寄生电容越小越好。如果寄生电容较大,MOS管导通所需的能量也较大,若电源IC的驱动峰值电流不足,则MOS管导通速度会变慢。
在进行PCB布局时,需要优化布局以减少寄生电感和消除噪音,例如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度,增加走线宽度,将驱动电阻放置在离MOSFET栅极较近的位置等。
适用场景:
适用于驱动能力要求不高、寄生电容较小的场景。
2. 推挽驱动
特点:
当电源IC驱动能力不足时,可采用推挽驱动。
这种驱动电路能够提升电流提供能力,迅速完成对栅极输入电容电荷的充电过程。
增加了导通所需的时间,但减少了关断时间,使开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
在关断瞬间,驱动电路能提供低阻抗通路,使MOSFET的栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管快速关断。
适用场景:
适用于需要较大驱动电流、快速开关响应的场景。
3. 加速关断驱动
特点:
在驱动电阻上并联电阻和二极管(常用快恢复二极管),以加速关断过程。
减少了关断时间和关断损耗。
并联的电阻还起到防止关断时电流过大、保护电源IC的作用。
PNP加速关断电路是应用较多的电路,可以实现瞬间的栅源短路,达到最短的放电时间。
适用场景:
特别适用于对关断时间有严格要求的场景。
4. 变压器驱动
特点:
常用于满足高端MOS管的驱动需求,也可用于安全隔离。
使用变压器可以隔离电源和驱动电路,提高系统的安全性和可靠性。
变压器驱动还可以提供较大的驱动电压和电流,满足高端MOS管的驱动要求。
耦合电容为磁化的磁芯提供复位电压,防止磁饱和;与电容串联的电阻防止占空比突然变化形成LC振荡。
适用场景:
适用于高电压、大电流、需要隔离的应用场景。
总结
MOS管驱动电路的类型多样,每种类型都有其特点和适用场景。在选择驱动电路时,需要根据MOS管的特性、应用需求以及系统要求来综合考虑。同时,还需要注意驱动电路中的关键参数和元件选择,以确保驱动电路的稳定性和可靠性。
责任编辑:David
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