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东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT的介绍、特性、及应用
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原标题：东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT的介绍、特性、及应用
东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT，由集成在IGBT芯片中的自由二极管(FWD)组成。这IGBT的特点是低饱和电压为1.60 v和运营175°C的最大结温高、0.25µ年代的高速切换。GT20N135SRA硅n通道IGBT是电压谐振逆变器开关，软开关，感应灶台和家电应用的理想选择。
特性
6.5一代
增强型
自由二极管(FWD)单片集成在IGBT芯片
规范
高速开关:
IGBT t (f) = 0.25µs(典型的)
低饱和压:
V (CE(坐))= 1.60(典型的)
I(C) = 20
T (a) = 25°C
高结温:
T (j) = 175°C (max)
应用程序
Voltage-resonant逆变器开关
软切换
电磁炉和家用电器
包的尺寸
责任编辑：David
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