原标题：Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品

Nexperia（安世半导体）作为基础半导体元器件领域的专家，一直在不断推出创新产品以满足市场需求。关于Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，并继续扩充宽禁带半导体产品的情况，可以总结如下：

一、推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

1. 产品特点

• Nexperia推出的全新高性能SiC二极管系列，以其卓越的性能和高效能特点著称。这些二极管具有出色的抗浪涌电流能力、更低的正向压降以及更高的可靠性。

• 这些二极管采用了先进的“薄型SiC”技术，使得衬底更薄，从而降低了从结到背面金属的热阻，带来了更低的工作温度、更长的设备寿命以及更强的抗浪涌电流能力。

2. 产品规格

• Nexperia的SiC二极管系列包括多款产品，其中650V、10A的SiC肖特基二极管是其中的佼佼者。这款二极管采用了真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。

• 此外，Nexperia还提供了采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6A、16A和20A的工业级器件，以满足不同设计需求。

3. 市场应用

• Nexperia的SiC二极管系列广泛应用于各种高功率应用，包括开关模式电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、电机驱动器、不间断电源(UPS)以及用于可持续能源生产的光伏逆变器等。

• 随着电动汽车市场的快速增长，Nexperia的SiC二极管也逐渐成为车辆电气化应用中的重要组成部分，如车载充电器(OBC)、逆变器和高压DC-DC转换器等。

二、继续扩充宽禁带半导体产品

1. 投资计划

• Nexperia计划在汉堡投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品（WBG），如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。这一举措旨在满足对高效功率半导体日益增长的长期需求。

• 同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能也将会增加。这一投资将在未来两年内完成，并帮助实现汉堡工厂现有基础设施的自动化和硅产能的扩大。

2. 产品研发

• Nexperia已经在SiC和GaN领域取得了显著进展，并计划在未来推出更多创新产品。这些宽禁带半导体产品将使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，并成为可再生能源应用和电动汽车的核心构件。

• Nexperia还计划与大学和研究机构密切合作，共同推动宽禁带半导体技术的研发和应用。这些合作将确保Nexperia产品实现持续创新并在技术上具有出色表现。

综上所述，Nexperia通过推出全新高性能SiC二极管系列并继续扩充宽禁带半导体产品组合，不仅巩固了其在半导体行业的领先地位，也为全球客户提供了更多选择和便利性。随着技术的不断进步和市场需求的持续增长，Nexperia将继续致力于创新和发展以满足未来挑战。