安森美半导体NTBLS4D0N15MC单n通道MOSFET的介绍、特性、及应用
来源:
hqbuy
2021-08-18
类别:基础知识
9
拍明
原标题:安森美半导体NTBLS4D0N15MC单n通道MOSFET的介绍、特性、及应用
安森美单n通道MOSFET是一种功率MOSFET,具有低R(DS(ON)),使传导损耗最小化。该MOSFET提供了一个低的总栅电荷(Q(G))和电容,以最小化驱动损耗。NTBLS4D0N15MC MOSFET降低了开关噪声/EMI,并具有187A最大连续漏极电流(I(D))和150V漏极到源极电压(V(DSS))。典型的应用包括电动工具,电池操作的真空吸尘器,无人机(UAV)/无人机,材料处理,电池管理系统(BMS)/存储,和家庭自动化。
特性
低R(DS(on))以减少传导损耗:
10V时4.4毫欧(最大
在8V时4.9毫欧(最大
150 V V (DSS)
187I(D)(最大)
低Q(G)和电容,以减少驱动器损耗
降低开关噪声/ EMI
应用程序
电动工具
电池驱动的真空吸尘器
无人机(UAV)/无人驾驶飞机
材料处理
电池管理系统(BMS)/存储
家庭自动化
性能图表
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。