产品分类
安森美半导体NVMFS015N10MCL单n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
74
拍明
原标题：安森美半导体NVMFS015N10MCL单n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
安森美半导体的NVMFS015N10MCL单n通道功率MOSFET被设计为紧凑和高效的设计，包括高热性能。该MOSFET提供低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗和低栅电荷(Q(G))/电容以最小化驱动损耗。NVMFS015N10MCL MOSFET是AEC-Q101合格的和PPAP能力。该MOSFET采用小5mm×6mm DFN5扁平引线封装。典型的应用包括电磁驱动器中的反向电池保护，电机控制中的电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)，以及开关电源。
特性
低R(DS(on))以减少传导损耗:
12.2欧姆10 v
在4.5 v 18.3欧姆
漏极-源极电阻(V((BR)DSS))
最大漏极电流(I(D))
AEC-Q101合格，PPAP能力强
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
规范
电磁驱动器的反向电池保护
用于电机控制的电源开关(高侧驱动、低侧驱动和h桥)
开关电源
性能图表
责任编辑：David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料，版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议，请联系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用，不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点，拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为，是基于自主意愿和独立判断做出的，请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章，请联系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。
相关资讯
：
BAT剑指科大讯飞，能否让其重蹈Nuance覆辙?
三星在中国一面撤资，一面增资是为何?
半导体激光治疗仪是骗局吗?
2016全球十大电子元器件分销商排行榜
2016年10大全球电子元器件代理商排行一览表
STM32学习笔记：通用定时器基本定时功能
2012- 2022 拍明芯城ICZOOM.com 版权所有 客服热线：400-693-8369 (9:00-18:00)
