原标题：上海瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线

上海瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线的相关信息如下：

一、项目背景

• 项目名称：瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化项目

• 建设内容：4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试

• 环评公示时间：2021年8月9日（据浦东时报报道）

二、公司概况

• 公司名称：上海瀚镓半导体科技有限公司

• 成立时间：2020年8月

• 注册资本：500万元人民币

• 法定代表人：何哲强

• 公司位置：位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区，由上海集成电路材料研究院支撑孵化

三、技术实力与团队

• 技术核心：专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发

• 团队背景：技术核心团队成员来自中国科学院、加州劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学伯克利分校等知名机构和院校，具有完全自主知识产权的核心专利技术

四、项目意义

• 该项目的实施将推动GaN半导体行业的高性能、高品质发展，提供核心基础材料支撑

• 助力我国竞占第三代半导体行业发展的战略制高点

五、发展动态

• 根据上海市经济和信息化委员会发布的公告，上海瀚镓还入选了《临港新片区2021年第二批重点产业企业所得税优惠资格拟认定企业名单》，这进一步体现了公司在行业内的地位和影响力。

综上所述，上海瀚镓半导体将建的4英寸GaN中试线项目，不仅体现了公司在GaN半导体领域的深厚技术积累和创新能力，也预示着公司在推动中国第三代半导体产业发展方面将发挥重要作用。