由北京大学申报的”5纳米碳纳米管CMOS器件“入选。

　　芯片是信息时代的基础与推动力，现有CMOS技术将触碰其极限。碳纳米管技术被认为是后摩尔时代的重要选项。

　　理论研究表明，碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗，且较易实现三维集成，系统层面的综合优势将高达上千倍，芯片技术由此可能提升至全新高度。

　　北京大学电子学系彭练矛教授团队在碳纳米管CMOS器件物理和制备技术、性能极限探索等方面取得重大突破，放弃传统掺杂工艺，通过控制电极材料来控制晶体管的极性，抑制短沟道效应，首次实现了5纳米栅长的高性能碳管晶体管，性能超越目前最好的硅基晶体管，接近量子力学原理决定的物理极限，有望将CMOS技术推进至3纳米以下技术节点。

　　2017年1月20日，标志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 为题，在线发表于《科学》(Science, 2017, 355: 271-276);被包括IBM研究人员在内的同行在《科学》《自然•纳米技术》等期刊24次公开正面引用，并入选ESI高被引论文。相关工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日报》等国内外主流学术媒体和新华社报道;

　　《人民日报》(海外版)评价碳管晶体管的“工作速度是英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味着中国科学家“有望在芯片技术上赶超国外同行”，“是中国信息科技发展的一座新里程碑”。