关键型IFF和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升。

中国，北京 – 2018年3月21日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®， Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW，提供出色的信号完整性和更大的范围，这对L频段航空电子应用来说至关重要。

Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示，“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比，它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能，在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款高功率和高效率解决方案，在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料，具备极高的高性价比。”

Qorvo高功率解决方案部总经理Roger Hall表示，“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案，能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比，QPD1025的漏极效率有了显著提升，效率高出近15个百分点，这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。”

Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始批量生产。

QPD1025的工程样品现已上市。

关于Qorvo

Qorvo(纳斯达克代码：QRVO)长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5G 网络、云计算、物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、地点和事物的全球互联。

QPD1025

1800 Watt, 65 Volt, 1.0 - 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor

关键性能

Frequency Range: 1.0 to 1.1 GHz

Output Power (P3dB1): 1862 Watt

Linear Gain: 22.5 dB

Typical PAE3dB1: 77.2 %

Operating voltage: 65 V

CW and Pulse capable

Note1: @ 1.0GHz Load Pull

The Qorvo QPD1025 is a 1800 W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from 1.0 to 1.1 GHz. Input prematch within the package results in ease of external board match and saves board space. The device is in an industry standard air cavity package and is ideally suited for IFF, avionics and test instrumentation. The device can support both CW and pulsed operations.

Lead-free and ROHS compliant.

特别应用

IFF Transponders

Avionics

频率最小值(MHz) ：1,000

频率最大值(MHz) ： 1,100

增益(dB) ： 22.5

Psat(dBm) ： 62.7

PAE(%) ： 77.2

VD(V) ： 65

Idq(mA) ： 1,500

封装类型 ： NI-1230 (Earless)