Phys.org 报导，复旦大学和中国科学院微电子研究所的 Long-Fei He 及相关研究人员最近在新的应用物理学快报(AIP)期刊上发表了一个关于新型态内存的论文。

　　由于大多数现有的内存技术都太过笨重，无法整合应用在显示面板上，研究人员一直都在研究全新的设计和材料，试图制造出同样具有良好性能、却能超薄的储存设备。

　　在这项新的研究中，研究人员透过二维过度金属材料「二硫化钼」(MoS2)的应用，创造出一种原子级薄度的半导体，它的电导率(conductivity)可以被精细的调整，进而形成具有高开关电流比的内存基础组件。

　　除此之外，团队也在测试中证实，这类型内存具有运行速度快、大容量的内存空间和优异的保存性，研究人员估计，即使处在 85°C(185°F)的高温下 10 年，储存空间仍可以保存原有的 60% 左右，对于实际应用来说仍然足够。

　　过去已有研究证实二硫化钼具有光敏性(photoresponsive)，这意味着一些性质可以运用光来控制，为了了解实际应用情况，团队也实际进行了相关实验，结果他们发现，当光线照射到已编程的存储设备上时，储存数据被完全消除， 但同时运用电压抹除信息的方式也仍然可以使用。

　　合着人 Hao Zhu 表示，团队目前正在研究透过编程可控的光脉冲波长和时间，来大规模整合这种储存组件。 研究人员相信未来这种储存设备，将会在系统整合型面板的应用上扮演重要角色。