Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM的介绍、特性、及应用
原标题:Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM的介绍、特性、及应用
Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM是一个1Mb的SRAM,每个存储单元包含一个非易失性SONOS存储元素,组织为每个8位128k字。ANV22AA8 nvSRAM提供两种独立的工作模式,SRAM模式和非易失性模式。在SRAM模式下,存储器的工作方式与普通静态RAM一样。在非易失性操作模式下,数据是并行地从SRAM传输到SONOS元素(存储)或从所有的SONOS元素传输到SRAM(收回)。在非易失模式下,SRAM功能被关闭。
SRAM可以被无限次读写,而独立的非易失性数据驻留在SONOS元素中。SRAM到SONOS元件的数据传输在断电或停电的情况下(POWERSTORE)自动进行,使用存储在一个小型外部电容中的电荷。
从SONOS元素到SRAM(召回)的传输在通电时自动发生,或者在软件序列的用户控制下启动。在内部,召回是一个两步程序。首先,SRAM数据被清除,其次,非易失性信息被转移到SRAM单元中。存储周期也可以在用户控制下由一个软件序列或一个单引脚(HSB)启动。一旦存储周期被启动,进一步的输入或输出将被禁用,直到该周期完成。
PowerStore功能的启用和禁用也可以根据软件顺序进行。通过Read Last Successful Written Address,可以读出最后一次写入成功的数据的3字节地址。
特性
高性能1Mb非易失性SRAM
25 ns访问时间
10ns Output使能访问时间
I(CC) = 10mA typ。在25 ns的周期时间
I(CC) = 2mA typ。在250纳秒的周期时间
读上次成功的书面地址
无限的读/写的耐力
自动非易失性存储在断电或停电(POWERSTORE)
软序列或硬件(HSB)控制下的非易失性存储
开机或熄灯后自动召回SRAM
无限的回忆周期
100 k存储周期
100年的非易失性数据保留
2.7V ~ 3.6V电源
工业和工业温度
包装:6mm x 8mm BGA-48
通过无铅认证
应用程序
工业
汽车
智能计量和智能电网
数据记录
框图
责任编辑:David
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