原标题：这款芯片将成为DRAM的替代者？

关于哪款芯片将成为DRAM的替代者，目前并没有一个明确的答案，因为技术的发展和市场的变化都具有不确定性。不过，根据当前的技术趋势和市场动态，有几种新兴的内存技术被认为有可能在未来取代DRAM，以下是一些具体的分析：

一、持久内存技术的发展

• 现状：持久内存已经与现代DRAM技术达到的速度相匹配，如SK Hynix和Micron的铪铁电体就证明了这一点。

• 优势：持久内存具有非易失性，即断电后数据不会丢失，这在一定程度上弥补了DRAM在这一方面的不足。

• 挑战：尽管持久内存技术不断发展，但从DRAM过渡到持久内存的一大障碍是制造成本。目前，DRAM的生产成本相对较低，而持久性内存可能需要数年时间才能在价格方面变得具有竞争力。

二、新型内存技术的竞争

• 多种技术并存：目前，MRAM、FERAM和ReRAM等多种新型内存技术都在竞相取代SRAM、NOR闪存和DRAM等现有标准。

• MRAM的潜力：MRAM相对于竞争对手具有重大优势，因为其读取速度在不久的将来可能会与DRAM速度相媲美。此外，自旋轨道扭矩和压控磁各向异性等新技术也减少了MRAM的写入延迟，使其成为有朝一日可能取代DRAM的主要候选技术之一。

• 其他技术的探索：除了MRAM之外，还有其他多种新型内存技术正在研究中，如铁电存储器等。这些技术都具有各自的优点和局限性，未来哪种技术能够脱颖而出并取代DRAM，还需要进一步观察和研究。

三、市场和技术的不确定性

• 技术变革：半导体行业是一个技术变革非常快的领域，新技术不断涌现并迅速发展。因此，未来哪种芯片将成为DRAM的替代者，具有很大的不确定性。

• 市场需求：此外，市场需求也是影响技术发展的重要因素。随着人工智能、物联网等领域的不断发展，对内存技术的需求也在不断变化。因此，未来哪种内存技术能够满足市场需求并取代DRAM，还需要根据市场变化来判断。

综上所述，虽然目前有多种新型内存技术被认为有可能在未来取代DRAM，但具体哪种技术能够脱颖而出并取代DRAM，还需要进一步观察和研究。同时，也需要考虑到市场需求和技术变革的不确定性因素。