三星美国新芯片工厂将在 Q3 开始建设,计划投资 170 亿美元


原标题:三星美国新芯片工厂将在 Q3 开始建设,计划投资 170 亿美元
关于三星美国新芯片工厂的建设,以下是根据多方信息整理出的详细情况:
一、建设时间
三星美国新芯片工厂计划在2021年第三季度(Q3)开始建设。
二、投资规模
三星计划在该工厂上投资高达170亿美元。
三、工厂位置
该工厂将建在美国得克萨斯州泰勒市,距离三星在奥斯汀的现有半导体工厂约48公里。泰勒市为吸引三星入驻,批准了10年内最高免除92.5%财产税的破格税收优惠,减免金额高达2.92亿美元。
四、建设目的与产能
三星建设此工厂的主要目的是提高用于5G移动通信、先进计算和人工智能的高科技芯片的产量,同时增强供应链的弹性。
新工厂总面积为500万平方米,计划于2024年下半年投入量产,主要生产5G、高性能计算机和人工智能等尖端系统半导体。
五、其他相关信息
此前,三星已在奥斯汀设有芯片制造工厂,并多年来一直在那里扩张。此次新建工厂是三星在美国的最大一笔投资,也是其在海外规模最大的一次投资。
三星此举反映了全球芯片制造业的地理多样化趋势,以及美国政府对在芯片行业更加自给自足的兴趣。
泰勒市和奥斯汀的基础设施完备与稳定,以及政府的激励措施,也是三星选择在此建厂的重要因素。
综上所述,三星美国新芯片工厂的建设是一个庞大的投资项目,旨在提高高科技芯片的产量和增强供应链的弹性。该工厂的建设将进一步加强三星在全球芯片制造业的地位,并推动美国芯片制造业的发展。
责任编辑:David
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