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国产55nm NOR闪存量产:寿命不低于10万次

来源: 中电网
2021-04-25
类别:业界动态
eye 32
文章创建人 拍明

原标题:国产55nm NOR闪存量产:寿命不低于10万次

国产55nm NOR闪存量产的相关信息可以归纳如下:

一、量产背景与供应商

  • 在NAND闪存领域,国内的技术水平相对落后,但在NOR闪存市场上,国内公司的实力不容小觑。

  • 兆易创新是全球第一大NOR闪存供应商,成功突破了55纳米制程工艺的技术瓶颈,完成了55nm NOR闪存芯片的量产。

二、产品特点与优势

  • 兆易创新的55nm NOR闪存芯片在工艺上更加先进,每一颗的体积更小,功耗上也比65nm降低了30%左右。

  • 该产品的擦写寿命不低于10万次,数据可用时间长达20年,这些特性使其非常适合于需要高可靠性和长寿命的存储设备。

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三、应用领域与市场前景

  • NOR闪存广泛应用于PC、笔记本、服务器、5G基站、路由、汽车、机顶盒、TWS无线耳机等产品中。

  • 随着5G、物联网、汽车电子等市场的快速发展,对闪存的可靠性要求越来越高,兆易创新的55nm NOR闪存芯片将具有广阔的市场前景。

四、技术突破与自主创新

  • 兆易创新通过自主研发和技术创新,成功实现了55nm NOR闪存芯片的量产,这标志着我国在NOR闪存领域取得了重大突破。

  • 该产品的成功量产不仅提升了我国在全球NOR闪存市场的竞争力,还为我国半导体行业的发展注入了新的活力。

五、产业链合作与代工情况

  • 兆易创新的NOR闪存订单大多委托给中芯国际代理加工。由于中芯国际在10纳米以上的芯片代工方面不受美方技术限制,因此能够满足兆易创新NOR闪存芯片的生产需求。

  • 这种合作模式有助于降低生产成本,提高生产效率,并促进产业链上下游的协同发展。

综上所述,国产55nm NOR闪存的量产标志着我国在NOR闪存领域取得了重大技术突破。兆易创新作为全球第一大NOR闪存供应商,其55nm NOR闪存芯片具有工艺先进、体积小、功耗低、擦写寿命长等特点,将广泛应用于多个领域并具有广阔的市场前景。同时,通过产业链合作和代工模式,兆易创新将进一步提升其在全球市场的竞争力。


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