原标题：X－FAB增强工艺改进显著提升光电二极管响应速度

X-FAB对其XS018 180nm传感器工艺进行了一系列增强工艺改进，这些改进显著提升了光电二极管的响应速度和其他关键性能。以下是对这一改进的详细归纳：

一、工艺改进概述

X-FAB通过对其XS018 180nm传感器工艺的优化和扩展，推出了专门用于光电二极管制造的新模块。这一新模块不仅丰富了光电传感器的选项，还显著增强了产品的性能，提升了传感灵敏度与响应速度。

二、光电二极管性能提升

1. 波长覆盖与灵敏度：

• 新型光电二极管覆盖了从紫外线（UV）到近红外（NIR）的波长范围，满足了客户的各种应用需求。

• 在紫外线波段，新型光电二极管提供了同类最佳的UV灵敏度，特别是在UVC波段达到60%的量子效率（QE）。

• 在近红外波段，光电二极管的QE比基于原XH018工艺的传统器件高出显著比例，如在850nm波长时QE高出17%，在905nm波长时QE增加5%。

2. 响应度与输出电流：

• 新工艺允许通过指定金属孔径的大小来规定光电二极管的响应度，使输出电流可在全电流和无电流之间缩放，以补偿滤波造成的差异，从而简化了光电二极管阵列的配套放大电路。

3. 填充因子与芯片尺寸：

• 与基于早期XH018器件相比，新型光电二极管的填充因子提高了10%，这有助于创建针对较低光照水平做出响应的器件，或减小芯片尺寸以节省空间。

三、新产品推出

X-FAB基于其优化的180nm CMOS半导体工艺平台（XS018），推出了多款新型高性能光电二极管，包括：

1. 响应增强型光电二极管：

• doafe：全光谱传感器，具有高达730nm的峰值灵敏度，在730nm波长处的光谱响应度达到了0.48A/W，相较于上一代产品，灵敏度提升约15%，且响应更加平稳，改进幅度超过50%。适用于烟雾探测、位置感测和光谱测定等应用。

• dobfpe：红光和近红外（NIR）区响应增强，峰值灵敏度约为770nm，专门针对红外信号的检测，与X-FAB之前的dob器件相比提高约25%。特别适合在传感器逐渐被安装于玻璃面板下的趋势下使用。

2. 紫外线专用光电二极管：

• dosuv：在UVC波段（200nm至280nm）表现出更高的灵敏度，在260nm波长下，其性能几乎是市场上以往任何同类产品的两倍；在235nm波长，其光谱响应度可达0.16A/W。

• dosuvr：作为dosuv的参考设计器件，适配于基于dosuv的传感器开发工作。

四、其他增强功能

除了上述主要性能提升外，新型光电二极管还具有以下增强功能：

• 信噪比特性：显著提升，使光电二极管在弱光环境下也能提供清晰的信号。

• 工作温度范围：支持-40℃至175℃的宽温度范围，适用于各种恶劣环境。

五、市场影响

X-FAB的增强工艺改进和新型光电二极管的推出，不仅丰富了光电传感器的产品选择，还强化了X-FAB在光电传感器市场的领先地位。这些新产品将为客户带来更高的性能提升，满足他们在近距感测、光谱分析、光学测距/三角测量等方面的需求。

综上所述，X-FAB通过其增强的XS018 180nm传感器工艺，显著提升了光电二极管的响应速度和其他关键性能，为光电传感器市场带来了创新的产品和解决方案。