原标题：中微公司发布双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin－Star（R）

中微公司发布的双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star（R）是一款先进的半导体加工设备，以下是对该设备的详细介绍：

一、设备概述

Primo Twin-Star（R）是中微公司基于其成熟的单台反应器电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台而开发的新一代刻蚀设备。该设备主要用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用，为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI（深沟槽隔离刻蚀）和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。

二、创新设计

1. 双反应台腔体设计：Primo Twin-Star（R）采用了双反应台腔体设计，这一设计提高了设备的生产效率，使得在同一时间内可以处理更多的晶圆。

2. 低电容耦合3D线圈设计：该设备还采用了低电容耦合3D线圈设计，这一设计优化了等离子体的产生和分布，提高了刻蚀的均匀性和精度。

3. 多区温控静电吸盘（ESC）：通过采用多区温控静电吸盘（ESC），设备增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制，进一步提高了刻蚀质量。

三、性能特点

1. 高性价比：与其他同类设备相比，Primo Twin-Star（R）以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率，提供了ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用。

2. 高质量输出：由于该设备在很多方面采取了和单台机Primo nanova相同或相似的设计，在众多的刻蚀应用中，Primo Twin-Star（R）显示了和单台反应器相同的刻蚀结果，给客户提供了高质量、高输出的解决方案。

3. 广泛适用性：该设备不仅适用于逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用，还可用于功率器件和CMOS图像传感器（CIS）的刻蚀应用。

四、市场应用与反馈

中微公司的Primo Twin-Star（R）刻蚀设备已收到来自国内领先客户的订单。目前，首台设备已交付客户投入生产，并表现出稳定的良率。此外，公司还在进行用于不同刻蚀应用的多项评估，以进一步优化和完善设备的性能。

综上所述，中微公司发布的双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star（R）凭借其创新的设计、优异的性能和广泛的市场适用性，在半导体加工领域具有广阔的应用前景。