UnitedSiC发布新的FET-Jet计算器


原标题:UnitedSiC发布新的FET-Jet计算器
UnitedSiC发布了新的FET-Jet计算器,这是一款功能强大的在线工具,旨在帮助工程师为不同的功率应用和拓扑结构选择理想的SiC FET(碳化硅场效应晶体管)设计解决方案。以下是对该计算器的详细介绍:
一、功能概述
FET-Jet计算器是一款免费且无需注册的在线工具,它允许用户根据应用功能和拓扑结构来选择和比较SiC FET和SiC肖特基二极管的性能。用户只需输入设计参数的详细信息,该工具就会自动计算开关电流、效率和损耗,并将损耗细分为导电损耗、打开损耗和关闭损耗。此外,运行温度和散热器额定值也作为输入值包含在内,以表明预期的运行结温。
二、升级与增强
UnitedSiC已经对FET-Jet计算器进行了多次升级,增强了其功能性和易用性。以下是几个关键的升级点:
增加了拓扑结构数量:随着版本的更新,FET-Jet计算器中可选的拓扑结构数量不断增加。特别是第二版,其支持的拓扑结构数量已经翻倍,达到了26种。
优化了结果展示:在最新版本中,损耗和温升以条形图形式呈现,使得用户可以更直观、即时地查看传导损耗、导通损耗和关断损耗。
提供了栅极电阻和缓冲组件建议:针对不同的器件和驱动电压,FET-Jet计算器现在可以提供栅极电阻RGon和RGoff的建议,以及优化电压过冲控制的缓冲组件值。
支持并联器件和多个转换器支路:用户可以指定并联器件数量和多个转换器支路,以便预测结温和电流应力水平。
增加了新功能:如部件标记解码器的链接、指示性波形图,以及以PDF文件格式下载计算器结果的选项,方便用户保存和记录设计信息。
三、使用场景与优势
FET-Jet计算器适用于各种功率应用,包括电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等。对于首次采用SiC的工程师或正在寻找最适合其设计的SiC器件的经验丰富设计师来说,FET-Jet计算器都是一个快速、准确的评估工具。它可以帮助用户避免为不适合的器件创建高级模拟,从而加快研发速度。
此外,FET-Jet计算器还支持多种SiC FET和肖特基二极管的选择,包括不同封装和系列的器件。用户可以从可排序表中选择任何UnitedSiC FET和肖特基二极管,包括TO-220、TO-247、TO-247/4L、DFN8x8封装中的器件以及最近发布的第四代750V器件。
四、总结
UnitedSiC发布的FET-Jet计算器是一款功能强大、易于使用的在线工具,它可以帮助工程师快速、准确地评估SiC FET和SiC肖特基二极管在各种功率拓扑结构中的性能。随着版本的更新和功能的增强,该计算器已经成为功率设计领域不可或缺的工具之一。
责任编辑:David
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