原标题：台积电陈平：超微缩和3D集成共同推动工艺前进

台积电陈平确实提出了超微缩和3D集成共同推动工艺前进的观点。以下是对其观点的详细阐述：

一、超微缩技术

超微缩技术，即传统工艺制程的微缩，是半导体工艺发展的重要方向之一。陈平指出，通过不断地工艺微缩，可以不断改进芯片的PPA（性能、功耗和面积）。在摩尔定律的推动下，晶体管尺寸不断缩小，从而提高了芯片的集成度和性能。

然而，工艺微缩也面临着诸多挑战。其中，光刻技术是限制工艺微缩的关键因素之一。不过，随着EUV（极紫外光刻）技术的突破，工艺微缩得以继续向前延伸。台积电从7nm技术节点开始引入EUV技术，并在5nm、4nm等节点上积累了丰富的量产经验和记录。未来，随着NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）技术的导入，2nm及以下图形的定义问题也将得到解决。

除了光刻技术外，器件结构和材料特性也是工艺微缩的另外两大挑战。随着器件的微小化，晶体管器件结构和材料特性都需要有革命性的改变。例如，器件结构将从FinFET转向Nanosheet或GAA结构，而器件材料方面则出现了诸多创新和突破。

二、3D集成技术

随着数字化时代数据量的快速增加，SoC（系统级芯片）上的微缩已不足以满足系统发展的需要。因此，3D系统的引入成为了一种重要的解决方案。3D集成技术可以在SoC工艺基础上大幅扩展集成度，实现所谓的Chiplet（小芯片）。同时，2.5D和3D工艺还可以帮助实现异构集成，让逻辑芯片和存储芯片得以方便地集成在一起。

台积电在3D集成技术方面取得了显著的成果。其推出了3D平台，涵盖了前段3D和先进封装两大类工艺。其中，前段3D对工艺的要求最高，而先进封装方式则包括CoWos技术和info技术等。这些技术使得台积电能够为客户提供更高效、更灵活的芯片解决方案。

三、超微缩与3D集成的共同推动

陈平认为，超微缩和3D集成是共同推动工艺前进的两大元素。超微缩技术提供了最有效的算力密度和能效比的提升，而3D集成技术则大幅扩展了集成度，实现了异构集成。这两者的结合，使得台积电能够在保持工艺领先的同时，不断满足市场对高性能、低功耗和高集成度芯片的需求。

综上所述，台积电陈平提出的超微缩和3D集成共同推动工艺前进的观点，不仅符合半导体工艺发展的趋势，也为台积电在未来的市场竞争中提供了有力的支持。