日前，东芝传出晶圆厂意外紧急停工数周，造成10万片晶圆报废的情况。事件到底如何......

据digitimes今日报道，东芝近期惊传日本晶圆厂紧急停工数周，损失近10万片的NAND Flash产能。中央社则报道称，市场传出东芝近期因转换新制程导致部分晶圆报废，恐将使得第4季储存型闪存(NAND Flash)缺货情况更加严重。

台媒《电脑设备》表示，东芝的合作伙伴群联指出，有关东芝近期因转换新制程导致部分晶圆报废一事，群联早已掌握所有状况，亦已备好充裕库存，足以因应长期合作客户需求，也早已准备好启动紧急备货机制，所以此事对群联的营运将不造成影响。

群联指出，东芝晶圆供应更为吃紧已发生一段时间。东芝是群联的重要奥援，双方合作关系紧密，在市场供不应求的情形下群联一般能获得相对多的货源支持。

事实上，上周业内已有此传闻。

10月13日，CINNO报道称，根据CINNO Research从内存供应链业者所掌握到的最新消息，九月底发生东芝与西数在四日市市的NAND Flash合资厂因晶圆制造流程出现瑕疵以至于出现大批量晶圆报废的现象。

据CINNO估计，受冲击的产线大部分集中在最新的3D-NAND Flash以及少部份的15nm 2D-NAND产能，影响两间公司合计约8-9万片的12吋产能，因此预期10月以及11月的产能供给将出现短缺的现象，12月后的情况将视复工运作的情况以及3D-NAND Flash良率的进展而定。

不过，集邦咨询TrendForce旗下半导体研究中心DRAMeXchange上周在进一步调查后表示，东芝确实在产线上遭遇到一些问题，并致使整体产出的可用良率下降，但影响程度并不如外界所传严重，工厂产线亦未停摆。

今日，国际电子商情记者询问中国闪存市场网相关人士，他表示从获得的信息来看这个事件对市场没有大的影响。

据了解，东芝一间工厂的月产能约为10万片，如若真的损失近10万片晶圆，相当于损失的是其一间工厂一个月的产能。

目前东芝对此事没有做出任何表态。

对于停工的具体原因，目前尚未有确切说法，根据多家媒体报道，更多的说法倾向于晶圆制造流程出现问题。

此前就有媒体报道，2017年在非三星阵营3D-NAND制程转换不顺的影响下，3D-NAND产出占NANDFlash整体产业比重约50%。

从NANDFlash的供给面来看，因为NAND制程从2D转进3D不如预期，导致2017年非三星阵营的新增产能没有百分之百完善利用，再加上转换期间所带来的产能损失，让2017年市场呈现整体供不应求的状态。

从各厂制程进度来看，三星64层3D NAND自今年第三季已经开始进入量产阶段且今年第四季3D产能比重将突破50%，明年将提升到60-70%水平。

SK海力士今年第四季3D NAND产能占比约为总产能的20-30%水平，以48层3D NAND为主，但明年将会专注于扩充72层3D-NAND产能，3D NAND产能比重在2018年第四季也会来到40-50%。

东芝/西数阵营今年上半年主流制程为48层3D NAND，预期今年第四季3D-NAND的占比将会占东芝/西数阵营整体产能约30%水平，2018年第四季目标突破50%。

据供应链透露，近期NAND Flash市场其实原本已有供货稍微纾解的现象，如今再传出原厂生产变量，外界担忧市场供需将再度趋紧，第4季可能又是缺货的情况，价格涨势难以和缓。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，NAND Flash每GB的价格从2016年的0.12美金一路上涨至0.3美金，主流的eMMC价格上涨60%以上。目前，3D NAND产能虽然在逐渐增加，但仍不能完全解决缺货问题，预计部分市场供货紧张将持续到年底。

CINNO Research副总经理杨文得此前认为，虽然第四季各项NAND Flash相关合约价格多在此一突发事件前谈妥，对于短线各大智能型手机OEM的价格波动影响不大，然而最大的隐忧在于日前苹果调升了对于iPhone8 Plus的需求，再加上iPhone X需求蓄势待发，购机需求将从今年第四季延伸至明年第一季。在苹果迫切巩固货源的强势手段下，供货商势必得以满足苹果供应为优先指导方针，因此供货排挤的效应势预计也将从11月开始发酵，对于目前供货吃紧的渠道市场将更为严峻。

在综合考虑3D NAND Flash良率提升速度以及此一突发事件的影响，CINNO认为从今年初以来供不应求的NAND Flash市况有很大的机率将延伸至明年第一季。

2018年3D NAND产出占比将突破70%大关

2013年三星发售全球首款3D NAND设备，在IC(集成电路)业界达到了一个里程碑。

3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同，2D NAND是平面化的结构，而3D V-NAND是立体结构。3D NAND的立体结构是使用3D存储单元阵列来提高现有工艺制程下的单元密度和数据容量，以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效降低堆栈间的干扰，使用3D NAND技术应用将不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。

此外，3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb，与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。采用48层堆叠则可将NAND Flash Die容量提升至256Gb，突破2D NAND 128Gb容量，且较32层3D NAND更有成本和性能优势，这也是驱使Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因，使得2D技术向3D 技术切换点恰好拥有最佳的成本效益，同时结合这样的技术应用在未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD固态硬盘。

另外还有一个重要特性，就是每单位容量成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好，因为3D NAND是不再追求缩小Cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多Cell单元，并且还可以使用技术已经相当成熟的旧有工艺来生产3D NAND芯片，而使用旧工艺的好处正是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。

三星电子是最早宣布采用垂直堆叠3D V-NAND制程的制造商。2013年8月，三星宣布以现有厂房量产3D V-NAND，制程35nm，可以堆叠24层，容量可达128Gb V-NAND，到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。2016年开始将3D NAND应用延伸到嵌入式产品UFS 2.0中。

美光、SK海力士等也均宣布将在2016年推出基于3D NAND的SSD，英特尔更是研发先进的3D Xpoint技术，在2016年推出搭载3D Xpoint NAND的Optane系列SSD新品。

东芝在2016年春季开始量产48层3D NAND，紧接着7月15日在它的三重县四日市的半导体二厂中举行启动仪式，今年2月，东芝宣布推出新一代基于64层3D NAND技术的basicBiCS FLASH 3D闪存。

东芝在3D NAND闪存方面的决心很大,计划2017年它的3D NAND占它的NAND出货量的50%,至2018财年增加到占80%。

2018年随着SK海力士、东芝/西数、美光/英特尔阵营的3D-NAND比重都将提升的情况下，2018年3D-NAND的产出占比将突破70%大关。

3DNAND制造关键工艺

3DNAND制造中的关键工艺如下图所示：

3D NAND的制造工艺十分复杂，以下把关键部分列出：

• High aspect ratio trenches 高深宽比的沟开挖

• No doping on source or drain 在源与漏中不掺杂

• Perfectly parallel walls 完全平行的侧壁

• Tens of stairsteps 众多级的楼梯(台阶)

• Uniform layer across wafer 在整个硅片面上均匀的淀积层

• Single-Litho stairstep 一步光刻楼梯成形

• Hard mask etching 硬掩模付蚀

• Processing inside of hole 通孔工艺

• Deposition on hole sides 孔内壁淀积工艺

• Polysilicon channels 多晶硅沟道

• Charge trap storage 电荷俘获型存储

• Etch through varying materials 各种不同材料的付蚀

• Deposition of tens of layers 淀积众多层材料

【相关信息】东芝晶圆厂意外停工 因为电脑黑客攻击损失近10万片产能

日本NAND Flash大厂东芝(Toshiba)近期惊传日本晶圆厂紧急停工数周，影响近10万片的NAND Flash产能，业界原本担心系因3D NAND技术转换出现良率折损，然日本通路商透露，东芝意外停工的起因是晶圆厂电脑遭到勒索软件的骇客恶意攻击，导致东芝决定停工数周来解决问题，但亦因为此一意外停工事件，使得第4季原本要逐渐转为供给过剩的NAND Flash市场出现变化。

2017年正值NAND Flash产业从传统2D转为3D技术的关键期，各大半导体厂转进64层和72层3D NAND技术的过程都不太顺利，加深整个产业供给吃紧的情况，全球NAND Flash产业迈入供给不足、价格上扬的好光景，但上游业者赚饱饱，却苦了下游业者。

从2017年第2季末、第3季起，NAND Flash涨价过头的反效果开始陆续出现，终端产品如固态硬碟(SSD)等市场，由于价格过高而开始遭到消费者抵制，零售通路市场出现卖不动的讯号，也不愿意再进货。

下游通路商认为，NAND Flash市场并非真的这么缺货，很多货源都是被原厂刻意锁住来哄抬价格，并预期第4季开始NAND Flash价格将会开始往下修正。不过，近期日本通路端传出东芝位于日本的NAND Flash晶圆厂突然停工数周，恐让2017年第4季的供需情况出现变数，且原因跌破业界眼镜。

业界原本猜测是东芝64层3D NAND芯片的生产良率出现问题，但实际上并不是因为良率问题停工，而是因为东芝晶圆厂的电脑被勒索软件恶意攻击，导致整个生产流程大乱，东芝内部评估是要报废这几周的产能?还是干脆停工把问题解决，且逐一检测这批货源，把能用的芯片筛选出来，东芝选择用后者的方式来解决。

业界透露，东芝为了解决这次的骇客入侵事件，停工数周(业界传出约3~6周)，导致减少生产将近10万片的产能，严格来说，并非是产能报废，而是停工导致的产能减少，目前东芝晶圆厂已经解决此一问题，并恢复正常生产。

下游通路商分析，无论是东芝、新帝(SanDisk)、三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等转进投产64层3D NAND芯片，或是SK海力士(SK Hynix)转进生产72层3D NAND芯片，经过快一年的痛苦学习曲线，如今应该都已渐入佳境，不少大厂纷决定扩建新厂来增加3D NAND产能，这意味着NAND Flash供给不足的情况即将获得解决。

不过，业界原本预计第4季NAND Flash市场会转为有些供给过剩，一直到2018年上半供过于求情况会加剧，如今因为东芝晶圆厂停工消息而出现变化，预计整个市场在第4季会转为供给平衡情况。