原标题：台积电2nm工艺重大突破！2023年投入试产

台积电在2nm工艺上确实取得了重大突破，并且计划在2023年投入试产。以下是对台积电2nm工艺及其相关信息的详细归纳：

一、研发进展

• 突破性进展：台积电在2nm工艺研发上取得了显著进展，这得益于其采用的创新性多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构。该架构与3nm和5nm所采用的鳍式场效晶体管（FinFET）截然不同，解决了FinFET在制程微缩过程中遇到的电流控制漏电的物理极限问题。

• 研发时间线：台积电早在2019年的年报中就首次披露了2nm工艺的研发计划。经过不断努力，预计在2023年下半年，该公司的风险试产良率将达到惊人的90%。这一进度领先于业界其他竞争对手。

二、技术特点

• MBCFET架构：台积电选择了环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架构来研发2nm工艺。这一架构的创新设计，成功解决了FinFET在制程微缩过程中的物理极限问题，并实现了性能的提升和功耗的降低。

• 极紫外光（EUV）微显影技术：随着极紫外光（EUV）微显影技术的不断进步，台积电多年来研发的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术也日趋成熟，为2nm工艺的实现提供了有力支持。

三、生产计划

• 试产计划：台积电计划在2023年下半年对2nm工艺进行风险试产，并有望在2024年实现大规模投产。这一计划体现了台积电在半导体工艺领域的持续领先地位和强大的研发实力。

• 产能规划：为了支持2nm工艺的研发与生产，台积电已规划在新竹宝山建设P1至P4四个超大型晶圆厂，占地总面积超过90公顷。这将为2nm工艺的量产提供充足的产能保障。

四、市场展望

• 技术领先：台积电在2nm工艺上的重大突破不仅彰显了其在半导体工艺领域的领先地位，也为全球半导体产业的发展注入了新的活力。随着2nm工艺的逐步量产，台积电有望进一步巩固其在高端芯片市场的领先地位。

• 市场需求：随着5G、物联网、人工智能等技术的不断发展，对高性能芯片的需求日益增加。台积电2nm工艺的量产将满足市场对高性能、低功耗芯片的需求，推动相关产业的快速发展。

综上所述，台积电在2nm工艺上取得了重大突破，并计划在2023年投入试产。这一进展不仅体现了台积电在半导体工艺领域的领先地位和强大研发实力，也为全球半导体产业的发展带来了新的机遇和挑战。