原标题：Dialog将非易失性电阻式RAM技术授权与格芯22FDX平台，服务IoT和AI应用

一、合作核心：技术授权与平台整合

1. 技术授权内容

• 22nm FD-SOI工艺：提供低功耗（动态功耗降低50%）、高能效（性能提升20%）和抗辐射能力（适用于工业场景）。

• 灵活电压调节：支持0.4V-1.8V宽电压范围，适配IoT设备的电池供电需求。

• 提供基于氧化铪（HfO₂）的1T1R（1晶体管+1电阻） RRAM单元设计，支持低功耗、高密度存储。

• 集成模拟/数字混合信号接口，适配格芯22FDX工艺的FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）特性。

• Dialog授权RRAM IP：

• 格芯22FDX平台优势：

2. 技术互补性

• FD-SOI的体偏置（Body Bias）技术可动态调节阈值电压，优化RRAM的读写性能（如降低写入电压至1.5V）。

• 写入耐久性达10⁷次（传统Flash为10⁵次），数据保留时间>10年（-40℃~125℃）。

• 单元面积仅4F²（4平方特征尺寸），密度是eFlash的3倍。

• Dialog的RRAM优势：

• 格芯22FDX的支撑：

二、RRAM技术解析：为何适配IoT与AI？

1. RRAM工作原理与优势

• 通过电场控制金属氧化物（如HfO₂）中的氧空位迁移，形成高/低阻态（“1”/“0”）。

• 写入速度<10ns，功耗仅pJ级（Flash为nJ级）。

• 原理：

• 对比其他存储技术：

  
  

  技术	写入速度	耐久性	成本（$/MB）	适用场景
  RRAM	快	高（10⁷次）	低	IoT边缘设备、AI推理
  Flash	中	中（10⁵次）	中	手机、SSD
  MRAM	快	高（10¹⁵次）	高	汽车电子、工业控制

  
  

1. 22FDX工艺的协同效应

• 22FDX的SOI结构天然屏蔽α粒子干扰，适合航天、工业IoT等严苛环境。

• FD-SOI的背栅偏置技术可降低RRAM的待机功耗（静态电流<1nA）。

• 低功耗设计：

• 抗辐射能力：

三、应用场景与市场价值

1. IoT边缘设备

• RRAM的高密度存储支持健康监测数据本地缓存（如连续7天ECG记录）。

• 结合Dialog的低功耗MCU和RRAM，实现自供电传感器节点（如农业环境监测）。

• 案例：土壤湿度传感器+RRAM存储阈值参数，功耗降低至μW级。

• 智能传感器：

• 可穿戴设备：

2. 边缘AI推理

• 工业设备预测性维护：传感器数据+RRAM存储的AI模型，实现故障提前预警。

• RRAM的快速读写能力加速AI模型加载（如语音关键词识别模型加载时间<1ms）。

• TinyML模型存储：

• 案例：

3. 市场规模与增长

• 2023年占非易失性存储市场3%，2028年或提升至15%（受IoT/AI需求驱动）。

• 2023年规模约45亿美元，预计2028年达82亿美元（CAGR 12.7%）。

• IoT存储市场：

• RRAM份额：

四、用户与行业影响

1. 对IoT设备商的价值

• 写入速度提升10倍，支持实时数据记录（如工业设备状态日志）。

• RRAM替代部分Flash存储，BOM成本降低20%-30%（以智能电表为例）。

• 成本优化：

• 性能提升：

2. 对AI芯片设计的影响

• RRAM可直接集成在AI加速器旁，减少数据搬运能耗（如边缘端AI推理功耗降低40%）。

• 近存计算（Near-Memory Computing）：

3. 行业格局变化

• 初创公司（如Weebit Nano）或借力格芯平台推出定制化RRAM IP。

• 三星、美光等需加速RRAM布局，否则可能被Dialog+格芯的组合抢占市场。

• 传统存储厂商受冲击：

• 新玩家入局：

五、技术挑战与应对

1. 关键挑战

• 需验证10年数据保留能力（尤其工业级-40℃~125℃环境）。

• RRAM的金属氧化物层需与22FDX的CMOS工艺兼容，需解决高温退火对存储层的影响。

• 工艺集成难度：

• 长期可靠性：

2. 解决方案

• 在22FDX中引入后端制程（BEOL）优化，减少金属互连的寄生电容。

• 采用双层阻变材料（如HfO₂/Al₂O₃堆叠），提升耐久性至10⁹次。

• Dialog技术优化：

• 格芯工艺改进：

六、用户决策建议

1. 适用场景推荐

• 高性能计算（RRAM读写速度仍低于DRAM）。

• 需要长期数据存储的档案系统（RRAM的写入次数有限）。

• 电池供电的IoT终端（如智能水表、环境传感器）。

• 需要频繁擦写的AI边缘设备（如语音助手缓存）。

• 优先采用场景：

• 谨慎采用场景：

2. 开发支持

• RRAM控制器IP，支持SPI/I²C接口，简化硬件设计。

• 22FDX+RRAM的PDK（工艺设计套件），支持Cadence、Synopsys等EDA工具链。

• 格芯提供：

• Dialog提供：

七、总结与展望

1. 核心结论

• 技术协同效应：Dialog的RRAM技术与格芯22FDX平台结合，为IoT和AI应用提供了低功耗、高密度、高可靠性的存储解决方案。

• 市场潜力：随着IoT设备数量的爆发式增长（预计2025年全球连接设备超300亿台），RRAM技术有望成为嵌入式存储的主流选择。

2. 用户行动建议

• 与Dialog和格芯合作，定制符合特定需求的RRAM IP，抢占市场先机。

• 评估RRAM替代传统存储（如EEPROM、NOR Flash）的可行性，重点关注功耗、面积和成本。

• 硬件开发者：

• 系统集成商：

通过以上分析，Dialog与格芯的合作不仅是一次技术授权，更是IoT与AI领域存储技术的一次重要升级。用户需根据应用场景权衡技术优势与成本，而行业则可能因此加速向低功耗、高密度存储转型。