原标题：宜普电源转换公司推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管

宜普电源转换公司（EPC）推出的EPC2215和EPC2207两款新一代200 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），在性能、尺寸和成本上实现了显著突破，为高功率密度、高频及高效能应用提供了理想解决方案。以下是对这两款产品的详细分析：

一、核心性能优势

1. 超低导通电阻与高电流能力

• EPC2215：导通电阻仅8 mΩ，脉冲电流额定值达162 A，适合高电流应用场景。

• EPC2207：导通电阻为22 mΩ，脉冲电流额定值54 A，平衡了性能与成本。

• 对比硅器件：EPC2215的导通电阻较基准硅MOSFET降低33%，且尺寸缩小15倍；栅极电荷（QG）减少10倍，无反向恢复电荷（QRR），显著降低开关损耗。

2. 高频开关性能

• 氮化镓（GaN）材料特性使其开关频率可达MHz级，远超传统硅MOSFET的kHz级，适用于高频DC/DC转换、同步整流等场景。

• 结合EPC的芯片级封装技术，寄生电感极低，进一步优化高频性能。

3. 小型化设计

• 两款器件尺寸较前代200 V eGaN器件缩小约50%，EPC2215采用微型封装，节省PCB空间，适合高密度布局需求。

二、应用场景

1. 48 V电力系统

• 同步整流：在48 V OUT DC/DC转换器中，eGaN FET的低导通电阻和高频特性可提升效率至98%以上，减少发热，延长系统寿命。

• 电机驱动：适用于电动出行（如电动自行车、无人机）的32V/48V BLDC电机驱动器，实现更紧凑、高效的设计。

2. 激光雷达（LiDAR）与光学遥感

• EPC2207的低电容和快速开关特性，使其成为工业激光雷达/ToF应用的理想选择，支持高分辨率、低成本解决方案。

3. 高频功率转换

• 包括多电平高压AC/DC转换器、太阳能微型逆变器、D类音频放大器等，需高频、高效、小尺寸功率器件的场景。

三、技术突破与市场影响

1. 性能与成本的平衡

• EPC通过材料创新与封装优化，将新一代eGaN FET的成本控制在与传统硅MOSFET相近水平，加速氮化镓对硅器件的替代进程。

• EPC首席执行官Alex Lidow表示：“氮化镓器件替代功率MOSFET的趋势日益明显，新一代eGaN FET在更小尺寸内实现更高性能，且成本相当。”

2. 生态支持与开发便利性

• EPC提供配套开发板（如EPC9052、EPC9053），支持高频（达30 MHz）评估，简化设计流程，缩短产品上市时间。

• 与ADI等厂商合作推出参考设计（如EPC9160），结合模拟控制器与eGaN FET，实现2 MHz开关频率的DC/DC转换，功率密度和效率显著提升。

3. 市场定位精准

• 聚焦高功率密度、高频、高效能需求，覆盖电动出行、工业自动化、通信电源等细分市场，与硅器件形成差异化竞争。

四、行业评价

• 得克萨斯大学奥斯汀分校教授Alex Huang评价：“氮化镓场效应晶体管的优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”

• 市场趋势：随着电动出行、数据中心、5G等领域的快速发展，对高频、高效功率器件的需求激增，EPC的新一代eGaN FET有望在这些市场中占据领先地位。