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华虹半导体：第三代9 纳米嵌入式闪存已成功实现量产
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拍明
原标题：华虹半导体：第三代9 纳米嵌入式闪存已成功实现量产
华虹半导体官方宣布，其第三代90 纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。
据介绍，第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，创下了全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。 Flash IP更具面积优势，光罩层数进一步减少。同时，可靠性指标方面，可达到10万次擦写及25年数据保持能。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：华虹半导体未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新，面向高密度智能卡与高端微控制器市场，同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化，将200mm现有的技术优势向300mm延伸，更好地服务国内外半导体芯片设计公司，满足市场需求。
责任编辑：HanFeng
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