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氮化镓场效应晶体管（Gallium Nitride Field-effect Transistor）是一类以氮化镓以及铝氮化镓为基础材料的场效应晶体管。由于氮化镓材料具有好的散热性能、高的击穿电场、高的饱和速度，氮化镓场效应晶体管在大功率高频能量转换和高频微波通讯等方面有着远大的应用前景。氮化镓场效应晶体管（GalliumNitrideField-effectTransistor）是一类以氮化镓以及铝氮化镓为基础材料的场效应晶体管。由于氮化镓材料具有好的散热性能、高的击穿电场、高的饱和速度，氮化镓场效应晶体管在大功率高频能量转换和高频微波通讯等方面有着远大的应用前景。目前，以氮化镓制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。