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隧穿器
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随着MOSFET器件尺寸不断缩小，降低功耗成为了集成电路设计的关键问题。热载流子注入效应在室温下将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的亚阈值摆幅（SS）限制在60mV / dec，这种物理上的限制使得MOSFET难以适用于低电源电压[1-2]。隧穿场效应晶体管（TFET）具有低亚阈值摆幅和低关态电流的优点，然而受到隧穿面积和隧穿几率的限制，TFET器件的电流密度通常比MOSFET低2～3个数量级左右，限制了TFET器件的实际应用

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