ORING控制器（也称为二极管OR控制器或理想二极管控制器）用于实现电源的冗余备份，通过控制MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来模拟二极管的功能，以降低功耗和发热。选择合适的MOSFET对于ORING控制器的性能至关重要，以下从选型关键参数、常见搭配类型及示例等方面进行介绍：

选型关键参数

• 导通电阻（RDS(ON)）

• 含义：指在特定条件下，MOSFET漏极和源极之间的电阻值。

• 影响及选型建议：导通电阻越小，MOSFET在导通时的压降就越小，功耗也就越低，能提高电源转换效率，减少发热。在ORING控制器应用中，应尽量选择导通电阻小的MOSFET，以降低电源损耗。例如，对于电流较大的应用场景，导通电阻每降低一点，都能显著减少发热和功耗。

• 漏极 - 源极击穿电压（VDSS）

• 含义：表示MOSFET能承受的最大漏极 - 源极电压。

• 影响及选型建议：必须大于电路中的最大工作电压，并留有一定的余量，以防止MOSFET因过压而损坏。如果电路工作电压为24V，那么选择的MOSFET的VDSS应至少为40V或更高，这样才能保证在电压波动或瞬态过压情况下，MOSFET仍能正常工作。

• 栅极阈值电压（VGS(TH)）

• 含义：指使MOSFET开始导通所需的栅极 - 源极电压。

• 影响及选型建议：要与ORING控制器的输出驱动电压相匹配。如果ORING控制器的输出驱动电压较低，就应选择栅极阈值电压也较低的MOSFET，以确保MOSFET能可靠导通。例如，一些低电压的ORING控制器，其输出驱动电压可能只有3.3V或5V，此时就需要选择栅极阈值电压在1V - 2V左右的MOSFET。

• 最大漏极电流（ID）

• 含义：表示MOSFET能承受的最大漏极电流。

• 影响及选型建议：要大于电路中的最大工作电流，并考虑一定的安全余量。如果电路中的最大工作电流为10A，那么选择的MOSFET的ID应至少为20A或更高，以防止MOSFET因过流而损坏。

常见搭配MOSFET类型

• N沟道MOSFET

• 特点：导通电阻相对较小，在相同电流下功耗较低，且驱动电路相对简单。

• 应用场景：广泛应用于各种ORING控制器电路中，特别是在对功耗和效率要求较高的场合。例如，在服务器电源、通信设备电源等应用中，N沟道MOSFET常被用于实现电源的冗余备份。

• P沟道MOSFET

• 特点：在一些特定的电路设计中，P沟道MOSFET可能具有优势，例如在需要高侧开关的应用中，P沟道MOSFET可以直接连接在电源正极和负载之间，电路设计相对简洁。

• 应用场景：在一些对电路布局和设计有特殊要求的情况下，P沟道MOSFET也会被使用。不过，P沟道MOSFET的导通电阻通常相对较大，且驱动电路相对复杂一些。

选型示例

• 凌力尔特（Linear Technology，现被ADI收购）的LTC4353 ORING控制器

• 推荐搭配MOSFET：IRF540N（N沟道MOSFET）。IRF540N的VDSS为100V，ID为33A，RDS(ON)为44mΩ（在VGS=10V时），栅极阈值电压为2V - 4V。这些参数使得它能够很好地与LTC4353配合使用，适用于一些电压较高、电流较大的电源冗余备份应用。

• 德州仪器（TI）的TPS2412 ORING控制器

• 推荐搭配MOSFET：Si4435DY（N沟道MOSFET）。Si4435DY的VDSS为30V，ID为80A，RDS(ON)为3.2mΩ（在VGS=10V时），栅极阈值电压为1V - 2.5V。它具有较低的导通电阻，能有效降低功耗，适用于对效率要求较高的电源冗余备份电路。