PN结的电容特性在半导体存储器中的应用主要体现在动态随机存取存储器（DRAM）中。DRAM是一种利用电容来存储电荷信息的存储器，其存储单元主要由一个晶体管和一个电容器组成。而PN结的电容特性正是构成DRAM中电容器的基础。

在DRAM中，PN结电容通常是由一个N型半导体区域和一个P型半导体区域通过扩散或离子注入等工艺形成的。当外加电压作用于PN结时，会在其界面附近形成一个耗尽区，这个区域中的电荷分布会随外加电压的变化而变化，从而呈现出电容效应。这个电容效应就是DRAM中用于存储电荷信息的电容器。

具体来说，当DRAM的存储单元被写入数据时，会通过晶体管将电荷注入到PN结电容中，使其带上一定的电荷量。这个电荷量就代表了存储的数据值，通常是用二进制位（bit）来表示的。当需要读取数据时，会通过晶体管将PN结电容中的电荷量转化为电流或电压信号，然后经过放大和处理后输出。

由于DRAM中的电容器是通过PN结的电容特性来构成的，因此其存储的电荷量会受到多种因素的影响，如PN结的掺杂浓度、耗尽区的宽度、外加电压的大小等。此外，DRAM还需要定期刷新来保持存储的数据不丢失，因为随着时间的推移，电容器中的电荷会逐渐泄漏掉。

除了DRAM之外，PN结的电容特性还可以在其他类型的存储器中有所应用，但具体的应用方式和效果可能因存储器的类型和结构而异。总的来说，PN结的电容特性为半导体存储器提供了一种有效的存储电荷信息的方式，是现代电子技术中不可或缺的一部分。