对于NPN双极型晶体管，当其发射极（Emitter）的掺杂浓度NE为10-3时，我们可以从以下几个方面进行分析：

一、发射极掺杂浓度的影响

发射极的掺杂浓度对晶体管的性能有着重要影响。高掺杂浓度的发射极能够提供更多的自由电子，从而增加发射极电流。在NPN晶体管中，发射极电流是基极电流和集电极电流之和，而基极电流相对较小，因此发射极电流主要决定了集电极电流的大小。高掺杂浓度的发射极有助于提高晶体管的放大倍数和开关速度。

二、晶体管的工作原理

NPN晶体管由两层N型半导体夹着一层P型半导体构成。在正向偏置条件下，即发射极相对于基极施加正向电压时电子从发射极注入基区，然后跨越基区到达集电区，形成电流。基极电流调节了这种流动，使得晶体管具有放大信号的功能。

三、晶体管的性能参数

1. 发射效率：发射效率是指发射极电流中能够成功注入到基区的电子所占的比例。它与发射极的掺杂浓度、基极的宽度以及基极的掺杂浓度等因素有关。在NE=10-3的条件下，发射效率通常较高，因为高掺杂浓度的发射极提供了更多的自由电子。

2. 基区输运系数：基区输运系数是指从发射极注入到基区的电子中，能够成功到达集电极的比例。它与基区的宽度、基区的掺杂浓度以及集电极的电压等因素有关。优化这些参数可以提高晶体管的放大倍数和开关速度。

3. 共基极电流增益：共基极电流增益（也称为电流放大倍数）是指集电极电流与基极电流之比。它是衡量晶体管放大能力的重要指标。在NE=10-3的条件下，由于发射极提供了大量的自由电子，晶体管的共基极电流增益通常较高。

四、应用场合

NPN双极型晶体管因其导通时只需较小的基极电流，且适合与常见的逻辑电路（如TTL、CMOS）兼容，因此更常用于开关电路、放大电路以及数字电路设计中。在手机屏幕等显示技术中，虽然NPN晶体管不是直接构成屏幕像素的主要元件，但它们在屏幕驱动电路和控制电路中发挥着重要作用。

综上所述，当NPN双极型晶体管的发射极掺杂浓度NE为10-3时，其具有较高的发射效率、基区输运系数和共基极电流增益，这使得它在开关电路、放大电路以及数字电路设计中具有广泛的应用前景。