快恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）和肖特基整流二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）在电子和电力领域中都是重要的器件，它们之间存在多方面的显著区别。以下是对这两种二极管的具体比较：

一、结构与工作原理

1. 快恢复二极管：

• 基本结构仍然是普通的PIN二极管，即阴阳极分别为N和P型半导体。

• 通过制造工艺上的优化和特殊的材料组合，能够迅速地从正向导通状态转为反向截止状态。

2. 肖特基整流二极管：

• 具有肖特基特性的“金属半导体结”的整流二极管。其阳极是金属，阴极是N型半导体。

• 采用了金属与半导体的接触方式，形成了一个非常薄的势垒，在正向偏置时可以迅速导通。

二、电特性

1. 恢复时间：

• 快恢复二极管：具有快速的恢复时间，通常在几十纳秒到几微秒之间，能够有效降低在切换过程中的能量损失。

• 肖特基二极管：理论上没有反向恢复时间（超高压肖特基除外），其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。

2. 正向压降：

• 快恢复二极管：与传统的整流二极管相比，在导通状态下的正向压降较低，有助于减少功耗。

• 肖特基二极管：正向起始电压较低，在同等耐压、相同电流下，其正向压降通常低于快恢复二极管。

3. 反向漏电流：

• 快恢复二极管：在额定反向耐压下，反向漏电流较小，通常在几微安到几十微安之间。

• 肖特基二极管：反向漏电流通常达到几十微安，高温状态下部分品种可达几十毫安，且随温度升高急剧增大。

4. 反向耐压值：

• 快恢复二极管：在反向击穿时可以承受高电压。

• 肖特基二极管：反向耐压值较低，一般不超过去时100V（部分公司产品已突破此限制，但相对仍较低）。

三、应用场景

1. 快恢复二极管：

• 适用于高频交流电路、开关电源和其他需要高效率可靠整流的场合。

• 在电力电子和高频通信领域有广泛应用，如电动汽车和可再生能源系统中的能量转换。

2. 肖特基整流二极管：

• 适用于高频整流、开关电源、太阳能电池等场合。

• 也可以作为放大器、混频器和检波器等器件的关键元件。

• 特别适用于低压、大电流整流电路，能提高电路效率。

综上所述，快恢复二极管和肖特基整流二极管在结构、电特性和应用场景等方面都存在显著差异。在选择使用哪种二极管时，需要根据具体的应用需求进行权衡和选择。