ADI ADR4525BRZ-R7电压基准芯片中文资料


ADI ADR4525BRZ-R7电压基准芯片中文资料
一、型号与类型
ADI(亚德诺半导体)的ADR4525BRZ-R7是一款高精度、低功耗、低噪声的电压基准芯片。该芯片属于ADR45xx系列,是ADI在电压基准技术领域的杰出产品之一。ADR4525BRZ-R7以其卓越的性能和广泛的应用领域,在精密测量、数据采集、数据转换等多个领域受到高度认可。
厂商名称:ADI
元件分类:电压基准芯片
中文描述: 电压基准IC,2ppm/°C,2.5V,0.02%,系列,NSOIC-8,-40°C至125°C
英文描述: Ultra-Low-Noise,High-Accuracy 2.5V Voltage Reference
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ADR4525BRZ-R7概述
ADR4525是高精度、低功耗、低噪声的电压基准,具有最大初始误差、出色的温度稳定性和低输出噪声。该电压基准采用创新的核心拓扑结构,以实现高精度,同时提供行业领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热诱导输出电压滞后和低长期输出电压漂移也提高了系统在时间和温度变化中的准确性。950µA的最大工作电流和300 mV的最大低压差,使该器件在便携式设备中能够很好地发挥作用。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、高精度测量设备、工业仪表和医疗设备。
输入电压范围:3V到15V
输出电流为+10mA(源电流)/-10mA(灌电流)
低静态电流为950µA(最大值)
输出电压噪声为1.25µV p-p(0.1Hz至10.0Hz)
输出电压为2.5V
初始输出电压误差为±0.02%(最大)
在-40°C<=TA<=+125°C时,温度系数最大为2ppm/°C(箱式法)
在-40°C<=TA<=+125°C,IL=2mA时,压差电压为500mV
纹波抑制率在fIN=1KHz时为90dB
8引脚SOIC
N封装,-40°C至+125°C温度范围
ADR4525BRZ-R7中文参数
制造商: | Analog Devices Inc. | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
产品种类: | 电压基准芯片 | 最大工作温度: | + 125 ℃ |
安装风格: | SMD/SMT | 系列: | ADR4525 |
封装 / 箱体: | SOIC-8 | 准确性: | 120 ppm/mA |
参考类型: | Series Precision References | 高度: | 1.5 mm |
输出电压: | 2.5 V | 输入电压: | 3 V to 15 V |
初始准确度: | 0.0002 | 长度: | 5 mm |
温度系数: | 2 PPM / C | 负载调节: | 120 ppm/mA |
串联VREF—输入电压—最大值: | 15 V | 工作电源电流: | 700 uA |
分流电流—最大值: | 10 mA | 输出电流: | 10 mA |
ADR4525BRZ-R7引脚图
二、工作原理
ADR4525BRZ-R7电压基准芯片采用创新的内核拓扑结构,通过精密的电路设计和先进的制造工艺,实现了高精度、低噪声和出色的温度稳定性。其工作原理主要基于带隙基准电压源技术,通过两个具有不同温度系数的双极型晶体管(BJT)产生基准电压,并利用运算放大器进行闭环调节,确保输出电压的稳定性和精度。
在ADR4525BRZ-R7中,内置的低噪声功率放大器进一步降低了输出电压的噪声水平,提升了整体性能。同时,芯片内部的温度补偿电路能够自动调整输出电压,以抵消温度变化对基准电压的影响,确保在各种环境条件下都能提供稳定的基准电压。
三、特点
高精度:ADR4525BRZ-R7的最大初始误差仅为±0.02%,在-40℃到+125℃的温度范围内,其输出误差也仅为15ppm,这得益于其创新的内核拓扑结构和精密的制造工艺。
高稳定性:通过温度补偿、噪声滤波等多种技术手段,ADR4525BRZ-R7实现了高稳定性的输出。即使在低功耗等工作状态下,也能保持清晰的输出电压,满足高精度应用的需求。
低噪声:芯片内部集成了低噪声功率放大器,使得输出电压的噪声水平显著降低。在0.1Hz至10Hz的频率范围内,其输出噪声仅为1.25µVp-p,非常适合对噪声敏感的应用场景。
低功耗:ADR4525BRZ-R7的最大工作电流仅为950μA,最大低压差低至300mV,这使得它在便携式设备等低功耗应用中具有显著优势。
宽输入电压范围:该芯片的输入电压范围为1.8V至18V(部分资料提到3V至15V或16V),适用于多种应用场景。
小尺寸:ADR4525BRZ-R7采用8引脚SOIC封装,体积小、重量轻,易于嵌入各种电路中。
温度范围广:其额定温度范围为-40°C至+125°C,适用于广泛的工业和环境温度条件。
四、应用
ADR4525BRZ-R7凭借其高精度、高稳定性、低噪声和低功耗等特点,在多个领域具有广泛的应用前景。主要包括:
精密数据采集系统:在需要高精度数据采集的场合,ADR4525BRZ-R7作为基准电压源,能够确保数据采集的准确性和可靠性。
高分辨率数据转换器:在模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)等高精度数据转换电路中,ADR4525BRZ-R7提供稳定的基准电压,有助于提高转换精度和性能。
高精度测量器件:在万用表、示波器、频谱分析仪等高精度测量仪器中,ADR4525BRZ-R7作为内部基准电压源,能够提升测量精度和稳定性。
工业仪器仪表:在工业自动化、过程控制等领域,ADR4525BRZ-R7可用于各种仪器仪表中,提供稳定的基准电压,确保测量和控制的准确性。
医疗设备:在心电图机、血压计、血糖仪等医疗设备中,ADR4525BRZ-R7的高精度和低噪声特性有助于提升医疗设备的测量精度和可靠性。
汽车电池监控:在汽车电池管理系统中,ADR4525BRZ-R7可用于监测电池电压,确保电池状态的准确判断和及时维护。
五、参数
以下是ADR4525BRZ-R7的主要参数:
品牌:ADI(亚德诺)
产品分类:电压基准芯片
工作温度:-40℃至+125℃
安装类型:SMT(表面贴装技术)
封装/外壳:SOIC-8(8引脚小外形集成电路封装)
输出电压:2.5V(固定)
长x宽/尺寸:4.90mm x 3.90mm(典型)
初始精度:±0.02%(典型值)
温度漂移:15ppm/°C(最大值)
输出噪声:1.25µVp-p(0.1Hz至10Hz)
工作电流:950µA(最大值)
低压差(Dropout Voltage):300mV(最大值)
输入电压范围:1.8V至18V(或根据具体资料,可能为3V至15V/16V)
长期稳定性:±10ppm/1000小时(典型值)
线性调整率:低(具体值需参考数据手册)
负载调整率:低(具体值需参考数据手册)
六、详细性能分析
高精度与低温度漂移:ADR4525BRZ-R7的高精度和低温度漂移特性,使其能够在宽温度范围内提供极其稳定的基准电压。这对于需要高精度测量的应用来说至关重要,因为它确保了测量结果的准确性和可靠性。
低噪声设计:芯片内部的低噪声功率放大器显著降低了输出电压的噪声水平,这对于需要高信噪比的应用场景尤为重要。例如,在精密测量和数据转换中,低噪声基准电压能够减少外部噪声对测量结果的干扰,提高测量精度。
低功耗与高效能:尽管ADR4525BRZ-R7在提供高精度和低噪声性能的同时,其功耗却相对较低。这使得它在便携式设备、电池供电系统等低功耗应用中具有显著优势。低功耗不仅延长了设备的续航时间,还减少了能源消耗,符合现代电子产品的绿色设计理念。
宽输入电压范围:ADR4525BRZ-R7支持较宽的输入电压范围,这使得它能够适应不同电源环境下的应用需求。无论是在低电压还是高电压供电系统中,该芯片都能稳定工作,提供可靠的基准电压输出。
小型化封装:采用8引脚SOIC封装,ADR4525BRZ-R7具有体积小、重量轻的特点。这便于工程师在设计电路时节省空间,同时也有利于实现电路的集成化和模块化设计。
七、设计考虑与注意事项
电源去耦:为了确保ADR4525BRZ-R7的稳定工作,建议在输入电源端添加适当的去耦电容。这有助于减少电源噪声对基准电压输出的影响,提高系统的稳定性和可靠性。
布局与布线:在PCB设计中,应注意将ADR4525BRZ-R7放置在靠近其负载的位置,并尽量减少布线长度和走线阻抗。同时,应避免将基准电压输出线与高噪声信号线平行布置,以减少相互干扰。
温度影响:尽管ADR4525BRZ-R7具有优异的温度稳定性,但在极端温度条件下仍需注意其性能变化。在设计过程中,应充分考虑工作环境温度对基准电压输出的影响,并采取相应的措施进行补偿或调整。
静电防护:在处理ADR4525BRZ-R7等精密电子元件时,应注意防止静电放电(ESD)对芯片造成损害。建议使用防静电包装和工具进行操作,并遵循相关的静电防护规范。
八、总结
ADR4525BRZ-R7作为一款高精度、低功耗、低噪声的电压基准芯片,在精密测量、数据采集、数据转换等多个领域具有广泛的应用前景。其卓越的性能和稳定的表现使得它成为工程师们在设计高精度电路时的首选之一。通过深入了解ADR4525BRZ-R7的工作原理、特点、应用以及详细参数等信息,我们可以更好地利用这款芯片来提升产品的性能和可靠性。
责任编辑:David
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