ON安森美MMSZ4678T1G稳压二极管中文资料

一、引言

在电子电路设计中，稳压二极管作为一种关键的电子元件，广泛应用于各种电压稳定和保护电路中。ON安森美作为全球领先的半导体供应商，其生产的MMSZ4678T1G稳压二极管以其卓越的性能和广泛的应用领域，在业界享有很高的声誉。本文将详细介绍MMSZ4678T1G稳压二极管的型号类型、工作原理、特点、应用以及主要参数。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：稳压二极管

　　中文描述： 稳压二极管，1.8V，500 mW，5%，150℃，2引脚，SOD-123封装

　　英文描述： Zener Diode Single 1.8V 5%500mW 2-Pin SOD-123 T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-23942468-MMSZ4678T1G.html

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　　MMSZ4678T1G概述

　　MMSZ4678T1G是一款表面安装齐纳二极管，带有无空隙传递模塑热固性塑料外壳，以及易于焊接耐腐蚀表面处理.该二极管专为电压调节应用而设计.

　　特性

　　齐纳反向电压范围广-1.8 V至43 V

　　齐纳击穿电压范围广

　　FR-4或FR-5板上的500 mW额定值

　　专为最佳自动化电路板组装而设计的封装

　　小封装尺寸，适合高密度应用

　　根据人体模型

　　机械特性的3级ESD额定值（超过16 kV）：

　　案例：无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳

　　表面处理：耐腐蚀表面处理，易于焊接

　　焊接目的的最高外壳温度：260°C，持续10秒

　　极性：用极性带表示阴极

　　易燃性等级：UL94 V-0

　　提供无铅封装

　　符合AEC-Q101和PPAP标准

　　汽车和其他应用的SZ前缀需要独特的站点和控件更改要求

　　应用

　　电压调节

　　波形削波

　　MOSFET栅极保护

　　终端产品

　　通用设备：适用于许多不同的最终产品

　　MMSZ4678T1G中文参数  

 　　MMSZ4678T1G引脚图

二、型号与类型

MMSZ4678T1G是ON安森美生产的一款表面安装齐纳二极管（Zener Diode），其型号中的“MMSZ”代表制造商特定的产品系列，“4678”为产品编号，而“T1G”则可能表示特定的封装类型或版本。该二极管采用SOD-123封装，这是一种小型化的表面贴装封装，非常适合高密度电路板的应用。

三、工作原理

齐纳二极管（Zener Diode）是一种特殊的二极管，与普通二极管不同，其主要功能在于稳压和限流。当齐纳二极管工作在反向电压下，且反向电压超过其特定的击穿电压（Zener Voltage, Vz）时，二极管会进入击穿状态，此时电流会急剧增加，但电压却基本保持不变。这种特性使得齐纳二极管能够用作稳压器，将电路中的电压稳定在某个特定值上。

在正向偏置时，齐纳二极管与普通二极管类似，允许电流流过；而在反向偏置且电压未达到击穿电压时，几乎无电流通过。当反向电压超过击穿电压时，齐纳二极管开始导通，并通过其内部的PN结特性，将电压稳定在击穿电压附近。

四、特点

1. 宽稳压范围：MMSZ4678T1G具有较宽的齐纳反向电压范围，从-1.8V至43V，这使得它能够在多种不同的电压需求下工作。

2. 低反向电流：在反向击穿状态下，该二极管的反向电流（IZT）非常低，仅为-50μA，有助于减少不必要的功耗和热量产生。

3. 小封装尺寸：采用SOD-123封装，尺寸小巧，适合高密度电路板的安装，有助于节省空间并提高设计的灵活性。

4. 高ESD保护：根据人体模型的ESD额定值为3级（>16kV），能有效防止静电放电对器件的损害。

5. 环保标准：符合RoHS标准，不含铅，符合现代电子产品对环保的要求。

6. AEC-Q101认证：对于汽车等需要高可靠性和严格质量控制的应用场景，MMSZ4678T1G通过了AEC-Q101认证，并具备PPAP能力。

五、应用

由于MMSZ4678T1G稳压二极管具有上述诸多优点，它在电子电路中有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：

1. 稳压电源：在电源电路中，MMSZ4678T1G可以用作稳压器，将输出电压稳定在某个特定值上，确保后续电路的稳定工作。

2. 过压保护：在电路中，当电压超过一定值时，MMSZ4678T1G会导通并限制电压的进一步升高，从而保护其他电子元件免受过高电压的损害。

3. 电压参考：在需要精确电压参考的电路中，MMSZ4678T1G可以提供一个稳定的电压基准，用于校准和测量。

4. 通信设备：在通信设备中，MMSZ4678T1G可用于保护敏感电路免受电压波动的影响，确保通信的稳定性和可靠性。

5. 电动汽车和车载充电器：在电动汽车和车载充电器中，MMSZ4678T1G可用于保护电池和其他电子元件免受电压冲击的损害。

6. MOSFET栅极保护：在MOSFET等功率开关器件的驱动电路中，MMSZ4678T1G可以用作栅极保护二极管，防止栅极电压过高导致器件损坏。

六、主要参数

以下是MMSZ4678T1G稳压二极管的主要参数：

• 额定电压（Vz）：1.8V（±5%）

• 额定功率（Pd）：500mW

• 击穿电压（Vz）：1.89V

• 正向电压（Vf）：0.9V（@10mA）

• 正向电流（If）：10mA

• 反向漏电流（Iz）：最大7.5μA（@1V）

• 反向击穿电流（IZT）：在规定的反向击穿电压下，流过二极管的电流，对于MMSZ4678T1G来说，这一值通常很低，约为-50μA（或根据具体型号有所不同），确保了稳压效果的稳定性和低功耗。

• 温度系数（TCV）：表示稳压二极管反向击穿电压随温度变化的程度。对于许多应用而言，低温度系数是优选的，因为它有助于减少因温度变化而引起的电压波动。MMSZ4678T1G的温度系数通常在一定的温度范围内给出，具体值需参考数据手册。

• 动态电阻（RZ）：在稳压二极管击穿后，其两端的电压随电流变化的斜率，即dV/dI。动态电阻越小，表示稳压二极管在负载变化时保持电压稳定的能力越强。对于MMSZ4678T1G，其动态电阻值通常较低，有助于提供稳定的输出电压。

• 电容（Cj）：包括结电容和封装电容在内的总电容值。电容值对于高频应用尤为重要，因为它会影响二极管的频率响应和稳定性。MMSZ4678T1G的电容值通常较低，适合在高频电路中使用。

• 反向恢复时间（trr）：当二极管从正向偏置切换到反向偏置时，从电流开始下降到反向电流达到其最终值所需的时间。虽然这一参数在稳压二极管的应用中不如开关二极管那样重要，但在某些特定应用中仍需考虑。

• 封装类型：如前所述，MMSZ4678T1G采用SOD-123封装，这是一种小型化的表面贴装封装，具有体积小、重量轻、安装方便等优点。

• 工作温度范围：指定了二极管能够正常工作的温度范围。对于MMSZ4678T1G，这一范围通常较宽，能够满足大多数应用的需求。

• 存储和运输条件：为了确保二极管的性能和可靠性，制造商通常会规定其存储和运输的温度和湿度条件。这些条件应在产品数据手册中详细说明。

七、选型与注意事项

在选择MMSZ4678T1G或其他稳压二极管时，需要考虑以下几个因素：

1. 额定电压：根据电路中的电压需求选择合适的稳压二极管。注意，实际应用中的电压可能会因负载变化、温度变化等因素而波动，因此应留有足够的裕量。

2. 功率耗散：根据电路中的功耗和散热条件选择合适的功率等级。确保稳压二极管在工作时不会超过其最大额定功率。

3. 封装类型：根据电路板的布局和安装要求选择合适的封装类型。对于高密度电路板，小型化封装如SOD-123是优选。

4. 温度系数：对于需要高精度电压稳定的应用，应选择温度系数较小的稳压二极管。

5. 可靠性：考虑稳压二极管的可靠性指标，如MTBF（平均无故障时间）等，以确保系统的长期稳定运行。

6. 成本：在满足性能要求的前提下，考虑成本因素，选择性价比高的产品。

八、总结

ON安森美MMSZ4678T1G稳压二极管以其优异的性能、广泛的应用领域和可靠的品质，在电子电路设计中占据了重要地位。通过了解其工作原理、特点、应用和主要参数，我们可以更好地选择和使用这一产品，为电路的稳定性和可靠性提供有力保障。同时，在选型和使用过程中，我们也应充分考虑各种因素，以确保电路设计的成功和系统的长期稳定运行。