意法半导体 MJE3055T NPN 功率晶体管中文资料

型号类型

MJE3055T 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一种NPN型功率晶体管。它是中功率、高电流和高压的代表产品，广泛应用于各种电子电路中。NPN型晶体管是指其内部结构中具有一个P型半导体层夹在两个N型半导体层之间，其符号为射极（E）、基极（B）和集电极（C）。这种晶体管以其较高的电流处理能力和较好的热稳定性而著称。

厂商名称：ST意法半导体

元件分类：三极管

中文描述： 晶体管，NPN，最大直流集电极电流10 A，TO-220封装，2 MHz，3引脚

英文描述： Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-36635853-MJE3055T.html

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MJE3055T中文参数

MJE3055T概述

MJE3055T是60V硅外延基NPN功率晶体管，用于功率开关电路和通用放大器。快速的开关时间和非常低的饱和电压可减少开关和传导损耗。

与MJE2955T互补

良好控制的hFE参数可提高可靠性

应用

工业

MJE3055T引脚图

型号命名规则

意法半导体的型号命名规则通常遵循以下原则：

1. 前缀：表明生产厂家和晶体管类型。例如，"M"表示生产厂家STMicroelectronics，"J"表示为结型晶体管（Junction Transistor），"E"表示其适用于中功率应用。

2. 数字：代表产品的具体系列号和性能参数。数字“3055”表示这一系列的具体产品型号。

3. 后缀：表示封装类型和特定应用。"T"通常表示TO-220封装。

MJE3055T 具体来说，表示该晶体管属于MJE系列，具有特定的中功率、高电流处理能力，且封装为TO-220。

工作原理

NPN型晶体管由三个区域组成：发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。工作原理如下：

1. 基极注入电流：当基极（B）接收到一个小电流时，这个电流在发射极-基极结上产生一个电压降，使得发射极区的电子能穿越基极区进入集电极区。

2. 电子流动：这些电子进入集电极后，通过外部电路流向集电极（C），形成一个较大的电流。基极电流（IB）控制着从发射极到集电极的主电流（IC）。

3. 电流放大作用：由于基极电流相对于集电极电流较小，晶体管具有电流放大作用，其放大倍数称为电流放大系数（β）。

MJE3055T 在实际工作中，通过调节基极电流，可以精确控制集电极电流，从而实现对负载的控制。这一特性使得MJE3055T在开关电源、音频放大器和电机驱动等应用中非常有效。

特点

MJE3055T 具有以下几个显著特点：

1. 高电流处理能力：其最大集电极电流（IC）可以达到10A，适合处理大电流负载。

2. 高耐压性：集电极-发射极最大电压（Vceo）为60V，能在较高电压下稳定工作。

3. 良好的热稳定性：由于采用TO-220封装，具有较好的散热性能，使其在高功率应用中能够保持稳定的工作状态。

4. 较高的功率处理能力：最大功耗（Ptot）可达75W，适用于高功率应用场合。

5. 快速开关速度：其开关速度较快，适合高频开关电路。

应用

MJE3055T 作为一种中功率NPN型晶体管，广泛应用于各类电子电路中，主要包括以下几个方面：

1. 开关电源：在开关电源电路中，MJE3055T可用于控制电流的通断，提供稳定的电源输出。

2. 音频放大器：作为输出级的功率放大器，用于提高音频信号的功率。

3. 电机驱动：用于驱动直流电机，控制电机的启停和转速。

4. 逆变器电路：在逆变器电路中，用于将直流电转换为交流电。

5. 其他大功率开关电路：如电池充电器、稳压电源等。

参数

MJE3055T的主要电气参数如下：

1. 最大集电极电流（IC）：10A

2. 最大集电极-基极电压（VCBO）：70V

3. 最大集电极-发射极电压（VCEO）：60V

4. 最大发射极-基极电压（VEBO）：5V

5. 最大功耗（Ptot）：75W

6. 电流增益（hFE）：20至70（IC=4A，VCE=4V时）

7. 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：2V（IC=4A，IB=400mA时）

8. 基极-发射极电压（VBE(on)）：1.5V（IC=4A，VCE=4V时）

9. 工作温度范围：-65°C至+150°C

这些参数表明了MJE3055T在电气性能上的优越性，使其能够在各种严苛的应用环境中稳定工作。

物理特性

1. 封装形式：TO-220，金属封装，具有良好的散热性能。

2. 引脚配置：

• 引脚1：基极（B）

• 引脚2：集电极（C）

• 引脚3：发射极（E）

TO-220封装使得MJE3055T不仅能有效散热，还能方便地安装在散热器上，从而提升其功率处理能力和可靠性。

总结

意法半导体的MJE3055T是一款高性能的NPN型功率晶体管，凭借其高电流、高耐压、良好的热稳定性以及广泛的应用范围，在电子电路设计中占据了重要地位。通过了解其工作原理、主要特点和应用领域，可以更好地在实际工程中发挥其优势，为各种电子设备提供可靠的功率控制和信号放大解决方案。