ON安森美NDS0610 MOS管中文资料


ON安森美NDS0610 MOS管中文资料
一、型号类型及后缀说明
ON安森美的NDS0610是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。在MOSFET的型号中,通常会包含一些字母和数字,代表不同的特性和类别。以下是NDS0610的型号含义及其解释:
N:代表这是一个N沟道MOSFET。MOSFET的类型主要分为N沟道和P沟道,N沟道MOSFET用于负载开关和信号放大等应用中。
D:表示这是一个增强型MOSFET。增强型MOSFET在施加栅极电压后才会导通。
S:这是生产厂家的代号,用于标识生产商是ON Semiconductor。
0610:这是MOSFET的型号序列号,代表产品的系列和版本信息。
厂商名称:ON安森美
元件分类:MOS管
中文描述: 功率场效应管,MOSFET,P沟道,60 V,120 mA,10 ohm,SOT-23,表面安装
英文描述: NDS0610 P-Channel MOSFET,120 mA,60 V,3-Pin SOT-23 Fairchild
数据手册:https://www.iczoom.com/data/k02-36709935-NDS0610.html
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NDS0610中文参数
通道类型 | P | 最大功率耗散 | 360 mW |
最大连续漏极电流 | 120 mA | 晶体管配置 | 单 |
最大漏源电压 | 60 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.3mm |
安装类型 | 表面贴装 | 每片芯片元件数目 | 1 |
引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 1.8 nC @ 10 V |
最大漏源电阻值 | 10 Ω | 晶体管材料 | Si |
通道模式 | 增强 | 长度 | 2.92mm |
最小栅阈值电压 | 1V | 最高工作温度 | +150 °C |
NDS0610概述
NDS0610是使用高单元密度DMOS技术生产的P沟道增强型FET。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地降低导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速开关。在大多数需要高达120mA DC的应用中,它们可以毫不费力地使用,并且可以提供高达1A的电流。该产品特别适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
压控p沟道小信号开关
低RDS(ON)的高密度电池设计
高饱和电流
特点和优势:
电压控制的P通道小信号开关
高密度单元设计
高饱和度电流
卓越的交换性能
坚固耐用、可靠的性能
DMOS技术
应用:
负载切换
DC/DC转换器
电池保护
电源管理控制
直流电机控制
NDS0610引脚图
二、工作原理
NDS0610 MOSFET的工作原理基于场效应晶体管的基本工作机制。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种由栅极、漏极和源极组成的三端器件。其工作原理可以分为以下几个步骤:
栅极控制电场:在N沟道MOSFET中,栅极施加的电压形成一个电场,这个电场会影响沟道区域的导电性。当栅极电压高于一定阈值电压时,会在半导体沟道中形成一个导电通道。
电子流动:当栅极电压高于阈值电压时,电子从源极流向漏极,形成电流。MOSFET的工作状态取决于栅极-源极电压V_GS与阈值电压V_th之间的关系。
增强型工作:在增强型MOSFET中,只有当栅极电压V_GS超过阈值电压V_th时,MOSFET才会导通。否则,它处于关断状态。
三、特点
NDS0610 MOSFET具有以下几个显著特点:
低导通电阻:NDS0610具有低的R_DS(on)(导通电阻),这意味着在开关状态下,能以较低的电阻传导电流,从而减少功耗和发热。
高开关速度:该MOSFET能够在较短的时间内完成开关操作,适用于高频开关应用。
高耐压能力:具有一定的耐压能力,能够承受较高的电压而不发生击穿,增加了电路设计的安全性。
高增益:NDS0610提供了高的电流增益,适用于需要高电流放大的电路设计。
封装形式:采用SOT-23封装,这种封装形式小巧且适合高密度的电路板设计。
四、应用领域
NDS0610 MOSFET广泛应用于各种电子电路中,主要包括以下几个应用领域:
开关电源:在开关电源设计中,NDS0610 MOSFET可以用作主开关元件,以提高转换效率和稳定性。
DC-DC转换器:用于DC-DC转换器的开关控制,能够实现从一种直流电压转换到另一种直流电压的功能。
电动机驱动:在电动机驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启动、停止及速度调节。
低功耗电路:适用于低功耗的电子设备中,如移动设备、便携式设备等。
信号放大:在模拟信号处理电路中,可以用作放大器以提高信号的强度。
五、主要参数
以下是NDS0610 MOSFET的主要参数及其详细说明:
参数 | 说明 | 值 |
---|---|---|
最大漏极-源极电压 (V_DSS) | MOSFET可以承受的最大漏极到源极的电压 | 60V |
最大栅极-源极电压 (V_GS) | MOSFET可以承受的最大栅极到源极的电压 | ±20V |
最大漏极电流 (I_D) | MOSFET在25°C环境下的最大漏极电流 | 10A |
导通电阻 (R_DS(on)) | MOSFET导通状态下的漏极到源极的电阻 | 0.040Ω (最大值) |
门槛电压 (V_GS(th)) | MOSFET开始导通的最小栅极-源极电压 | 1.0V ~ 2.5V |
总门极电荷 (Q_G) | 需要施加在栅极上的电荷以完全打开MOSFET | 10nC |
开关时间 (t_on / t_off) | MOSFET从关断状态到导通状态的时间 | 22ns / 30ns |
六、总结
NDS0610 MOSFET是一款高性能N沟道增强型场效应晶体管,广泛应用于各种高效能的电子电路设计中。其具有低导通电阻、高开关速度和良好的电压承受能力,使其成为开关电源、DC-DC转换器以及电动机驱动等应用中的理想选择。通过详细分析其工作原理、特点、应用领域和主要参数,可以帮助工程师更好地利用NDS0610 MOSFET来满足不同电子电路设计的需求。
参考资料:
以上内容对NDS0610 MOSFET进行了详细的介绍,涵盖了其型号类型、工作原理、特点、应用及主要参数等方面的信息。希望对您的研究和应用有所帮助。
责任编辑:David
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